[实用新型]一种垂直功率MOS半导体器件

说明书

本实用新型涉及垂直功率MOS半导体器件技术领域，尤其为一种垂直功率MOS半导体器件，包括MOS半导体主体和壳体，所述MOS半导体主体和壳体滑动连接，所述壳体的内侧开设有第一滑槽，所述第一滑槽上滑动连接有第一滑块，所述壳体的外侧开设有第二滑槽，所述第二滑槽上滑动连接有第二滑块，所述第二滑块的一侧和第一滑块固定连接，所述第二滑块的另一侧固定连接有滑动板，所述滑动板和壳体滑动连接，所述滑动板的顶部固定连接有伸缩板。本实用新型通过第一滑块、第二滑块和防滑纹的作用，使得工作人员在需要使用垂直功率MOS半导体时，可以便捷的将垂直功率MOS半导体从壳体内移动出，从而可以对其进一步使用。

技术领域

本实用新型涉及垂直功率MOS半导体器件技术领域，具体为一种垂直功率MOS半导体器件。

背景技术

OSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，其管子呈截止状态，当加上合适的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而使多晶栅极下的载流子增强，形成导电沟道，为了防止垂直功率MOS半导体器件在被使用前受到外力受损，因此采用保护装置对垂直功率MOS半导体器件的外表面进行保护，避免其受到外力损坏。

但是现有的垂直功率MOS半导体器件存在以下问题：

1、现有的垂直功率MOS半导体器件，当工作人员需要使用垂直功率MOS半导体时，不易将垂直功率MOS半导体从壳体内取出，从而使得工作人员在使用时会比较麻烦。

2、现有的垂直功率MOS半导体器件，当垂直功率MOS半导体被放置在壳体内时，其装置不易将垂直功率MOS半导体固定在壳体内，从而使得垂直功率MOS半导体可能会从壳体内移动出，从而增加损坏的概率。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种垂直功率MOS半导体器件，解决了不易从壳体内取出和不易被固定在壳体内的问题。

(二)技术方案

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种垂直功率MOS半导体器件，包括MOS半导体主体和壳体，所述MOS半导体主体和壳体滑动连接，所述壳体的内侧开设有第一滑槽，所述第一滑槽上滑动连接有第一滑块，所述壳体的外侧开设有第二滑槽，所述第二滑槽上滑动连接有第二滑块，所述第二滑块的一侧和第一滑块固定连接，所述第二滑块的另一侧固定连接有滑动板，所述滑动板和壳体滑动连接，所述滑动板的顶部固定连接有伸缩板，所述伸缩板的顶部通过合页转动连接有连接板，所述连接板的底部固定连接有插块，所述壳体上开设有插槽，所述插槽和插块插接。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述第一滑槽内固定连接有滑杆，所述第一滑块在滑杆上滑动连接。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述滑动板的侧面设置有防滑纹，所述防滑纹位于滑动板的两侧。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述壳体上开设有第三滑槽，所述第三滑槽上滑动连接有第三滑块，所述第三滑块和滑动板固定连接。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述伸缩板的数量为两个，所述插块的数量为两个。

(三)有益效果

与现有技术相比，本实用新型提供了一种垂直功率MOS半导体器件，具备以下有益效果：

1、该垂直功率MOS半导体器件，通过设置第一滑块、第二滑块和防滑纹的作用，使得工作人员在需要使用垂直功率MOS半导体时，可以便捷的将垂直功率MOS半导体从壳体内移动出，从而可以对其进一步使用。

2、该垂直功率MOS半导体器件，通过设置伸缩板、连接板、插槽和插块的作用，使得垂直功率MOS半导体在被放置在壳体内时，其设置可以有效的将垂直功率MOS半导体固定在壳体内，避免垂直功率MOS半导体移动出后造成损坏。

附图说明