[实用新型]一种基于大功率NMOS管的直流电压DC12V逆变电路有效

专利信息
申请号: 202120512736.2 申请日: 2021-03-11
公开(公告)号: CN214281258U 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 杨恩飞;孙钰洲;邢超 申请(专利权)人: 山东飞越电子科技有限公司
主分类号: H02M7/48 分类号: H02M7/48;H02M1/088;H02M1/32
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 支文彬
地址: 250101 山东省济南市*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 大功率 nmos 直流 电压 dc12v 电路
【权利要求书】:

1.一种基于大功率NMOS管的直流电压DC12V逆变电路,其特征在于,包括:

NMOS管Ⅰ(1),其源极接地,其漏极连接于变压器(17)次级的一个触头上;

NMOS管Ⅱ(2),其源极接地,其漏极分别连接于变压器(17)次级的另一个触头以及NMOS管Ⅰ(1)的栅极和源极,NMOS管Ⅱ(2)源极分别连接于NMOS管Ⅱ(2)的栅极以及NMOS管Ⅰ(1)的漏极;

三端陶瓷气体放电管(3),其第一连接端连接于12V蓄电池的正极,其第三连接端经压敏电阻Ⅰ(4)连接于12V蓄电池的负极,其第二连接端经压敏电阻Ⅱ(5)接地;

TVS瞬态抑制二极管Ⅰ(8)与TVS瞬态抑制二极管Ⅱ(9)相互串联后一端经退耦电感Ⅰ(6)连接于12V蓄电池的正极,其另一端经退耦电感Ⅱ(7)连接于12V蓄电池的负极,电容Ⅰ(11)与电容Ⅱ(12)相互串联后与相互串联的TVS瞬态抑制二极管Ⅰ(8)、TVS瞬态抑制二极管Ⅱ(9)并联,TVS瞬态抑制二极管Ⅲ(10)一端分别与TVS瞬态抑制二极管Ⅰ(8)及TVS瞬态抑制二极管Ⅱ(9)相连,其另一端分别与电容Ⅰ(11)、电容Ⅱ(12)及地相连,相互串联的电容Ⅰ(11)与电容Ⅱ(12)一端接地,其另一端与变压器(17)次级相连;

两端陶瓷气体放电管(23),其第一连接端接地,其第二连接端分别连接于压敏电阻Ⅳ(21)的一端以及压敏电阻Ⅴ(22)的一端,压敏电阻Ⅳ(21)的另一端分别连接于变压器(17)的初级的一个触头以及压敏电阻Ⅲ(19)的一端,压敏电阻Ⅴ(22)的另一端分别连接于变压器(17)的初级的另一个触头以及压敏电阻Ⅲ(19)的另一端。

2.根据权利要求1所述的基于大功率NMOS管的直流电压DC12V逆变电路,其特征在于:NMOS管Ⅱ(2)的栅极经电阻Ⅱ(14)接地以及经电阻Ⅳ(16)连接于NMOS管Ⅰ(1)的漏极。

3.根据权利要求1所述的基于大功率NMOS管的直流电压DC12V逆变电路,其特征在于:NMOS管Ⅱ(2)的漏极连接于电阻Ⅲ(15)的一端,电阻Ⅲ(15)的另一端分别连接于NMOS管Ⅰ(1)的栅极以及经电阻Ⅰ(13)连接于NMOS管Ⅰ(1)的源极。

4.根据权利要求1所述的基于大功率NMOS管的直流电压DC12V逆变电路,其特征在于:变压器(17)的初级与压敏电阻Ⅳ(21)之间设置有保险丝Ⅰ(18),变压器(17)的初级与压敏电阻Ⅴ(22)之间设置有保险丝Ⅱ(20)。

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