[实用新型]改善电源驱动芯片驱动能力的电路及电源有效

专利信息
申请号: 202120520405.3 申请日: 2021-03-11
公开(公告)号: CN214544102U 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 蔡晶 申请(专利权)人: 深圳市博茂智信科技有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/088
代理公司: 深圳市锟剑恒富知识产权代理有限公司 44769 代理人: 刘显扬
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区坂*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 改善 电源 驱动 芯片 能力 电路
【权利要求书】:

1.一种改善电源驱动芯片驱动能力的电路,其特征在于,包括一个在所述电源驱动芯片输出的驱动信号的上升沿和下降沿到来时自动提供额外的电流通道或接地通道的补偿模块;所述补偿模块设置在所述电源驱动芯片的驱动信号输出端和该驱动信号驱动的开关器件之间;所述补偿模块在所述驱动信号的电平维持期间,自动断开所述额外的电流通道或接地通道。

2.根据权利要求1所述的改善电源驱动芯片驱动能力的电路,其特征在于,所述补偿模块包括输入端、输出端、电源端和接地端;所述输入端和所述电源驱动芯片的驱动信号输出端连接,所述输出端与所述开关器件的控制端连接。

3.根据权利要求2所述的改善电源驱动芯片驱动能力的电路,其特征在于,所述补偿模块包括第一晶体管、第二晶体管和第一电阻;所述第一晶体管和第二晶体管的基极并接在一起并与所述补偿模块的输入端连接,所述第一晶体管和第二晶体管的发射极并接在一起并与所述补偿模块的输出端连接,所述第一电阻两端分别与所述补偿模块的输入端和输出端连接;所述第一晶体管的集电极与电源端,所述第二晶体管的集电极接地。

4.根据权利要求3所述的改善电源驱动芯片驱动能力的电路,其特征在于,所述第一晶体管包括NPN晶体管,所述第二晶体管包括PNP晶体管。

5.根据权利要求4所述的改善电源驱动芯片驱动能力的电路,其特征在于,所述第一电阻的取值范围为0.2-200欧姆。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的改善电源驱动芯片驱动能力的电路,其特征在于,所述电源驱动芯片输出的驱动信号包括具有一定占空比的脉冲信号。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的改善电源驱动芯片驱动能力的电路,其特征在于,所述开关器件包括场效应管或MOS管。

8.根据权利要求7所述的改善电源驱动芯片驱动能力的电路,其特征在于,所述电源驱动芯片的一个驱动信号输出端驱动多个并接的开关器件。

9.一种电源,包括电源驱动芯片,所述电源驱动芯片输出至少一个驱动信号实现对连接输出该驱动信号的输出端上的开关器件进行控制,其特征在于,所述驱动信号的输出端和所述开关器件之间设置有改善电源驱动芯片驱动能力的电路,所述电路是如权利要求8所述的电路。

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