[实用新型]半桥驱动电源、IGBT驱动装置及汽车有效
申请号: | 202120528632.0 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN214412606U | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 周海龙;渠晓明;杜松贺;苏浩 | 申请(专利权)人: | 蜂巢传动系统(江苏)有限公司保定研发分公司 |
主分类号: | H02M7/5387 | 分类号: | H02M7/5387;H02M1/088 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 肖冰滨;王晓晓 |
地址: | 071000 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 电源 igbt 装置 汽车 | ||
本实用新型实施方式提供一种半桥驱动电源、IGBT驱动装置及汽车,属于驱动电源技术领域。所述半桥驱动电源包括:依次连接的信号发生电路、驱动电路、半桥逆变电路及输出电路;信号发生电路包括依次连接的振荡电路及频分电路;振荡电路用于产生固定频率的方波信号,频分电路用于对方波信号进行分频,以产生互补的第一驱动信号及第二驱动信号;第一驱动信号及第二驱动信号通过驱动电路控制半桥逆变电路的通断。本实用新型通过振荡电路产生固定频率的方波信号并经频分电路进行二分频,产生两路互补的驱动信号以控制半桥逆变电路的通断,进而可根据设计需求,自由调节电源频率;本实用新型无需假负载即可实现稳压输出,体积小,成本低,可靠性高。
技术领域
本实用新型涉及驱动电源技术领域,具体地涉及一种半桥驱动电源、一种IGBT驱动装置及一种汽车。
背景技术
新能源车用电机控制器中,IGBT和MOSFET的门极驱动电源是驱动电路的关键技术之一,稳定可靠的驱动电源对驱动的可靠实现有至关重要的作用。同时该电源要求原副边之间高压隔离,体积小,效率高,成本低。同时该电源往往工作在环境温度高达85摄氏度以上的环境,极端情况下可能达到125摄氏度。现有的实现方式通常采用反激变换器或者半桥驱动电路。反激电路具有器件少,成本低的优点,但是反激电路需要反馈,且光耦在增加成本的同时也降低了可靠性;如果采用原边磁反馈的方案,则需要较大的假负载电阻参与稳压,且稳压精度较差,同时需要增加反馈绕组,变压器较复杂;采用直接原边反馈的方案,目前存在可选方案少,价格高等问题。
实用新型内容
本实用新型实施方式的目的是提供一种半桥驱动电源、IGBT驱动装置及汽车,以解决现有的IGBT驱动电源体积大、结构复杂及可靠性低的问题。
为了实现上述目的,在本实用新型的第一方面,提供一种半桥驱动电源,包括:
依次连接的信号发生电路、驱动电路、半桥逆变电路及输出电路;
所述信号发生电路包括依次连接的振荡电路及频分电路;
所述振荡电路用于产生固定频率的方波信号,所述频分电路用于对所述方波信号进行分频,以产生互补的第一驱动信号及第二驱动信号;所述第一驱动信号及所述第二驱动信号通过所述驱动电路控制所述半桥逆变电路的通断。
可选地,所述驱动电路包括驱动器及自举电容充电电路;
所述自举电容充电电路与所述驱动器的高边驱动浮动电源端、所述驱动器的高边驱动浮地端及所述驱动器的电源端连接。
可选地,所述振荡电路包括施密特反向触发器、第一电阻及第一电容,所述第一电阻的一端与所述施密特反向触发器的输入端连接,所述第一电阻的另一端与所述施密特反向触发器的输出端连接并接所述频分电路的输入端,所述第一电容的一端与所述第一电阻的所述一端及所述施密特反向触发器的输入端连接,所述第一电容的另一端接地。
可选地,所述自举电容充电电路包括第一二极管及第二电容,所述第一二极管的正极与所述驱动器的电源端连接,所述第一二极管的负极与所述第二电容的一端连接并接所述驱动器的高边驱动浮动电源端,所述第二电容的另一端与所述驱动器的高边驱动浮地端连接。
可选地,所述频分电路包括D触发器,所述D触发器的输入端与所述振荡电路的输出端连接,所述D触发器的正向输出端与所述驱动器的高边输入端连接,所述D触发器的反向输出端与所述驱动器的低边输入端连接。
可选地,所述半桥逆变电路包括:
第一开关管、第二开关管及变压器;
所述第一开关管的栅极与所述驱动器的高边驱动信号输出端连接,所述第二开关管的栅极与所述驱动器的低边驱动信号输出端连接;
所述第一开关管的漏极与所述电源连接,所述第一开关管的源极与所述第二开关管的漏极连接并接所述驱动器的高边驱动浮地端,所述第二开关管的源极接地;
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