[实用新型]一种基于P型增强型MOSFET的一次性电源电源开关电路

说明书

本实用新型公开了一种基于P型增强型MOSFET的一次性电源电源开关电路，包括P型增强型MOSFET管、电容C1、电源、电阻R1和易剪断导线，所述P型增强型MOSFET的源极S和易剪断导线一端与电源正极连接，所述易剪断导线另一端和P型增强型MOSFET管的栅极G与电容C1和电阻R1连接，所述P型增强型MOSFET管的漏极D与负载VBAT连接，所述电容C1和电阻R1与电源负极连接。本实用新型，利用P型增强型MOSFET管的工作特点做成开关器件，响应快速，可以将内部电路完全与外界隔离，防水防潮，可靠性高。

技术领域

本实用新型涉及各类电源应用技术领域，特别涉及一种基于P型增强型MOSFET的一次性电源电源开关电路。

背景技术

传统的一次性电源产品长时间储存是在电源仓里插入纸质或者塑料条的方法。此方法不能做防水防潮密封，使用此方法的产品必须要有电源仓，并且受潮有生锈和短路的隐患，不适用于需要防水或者是内部电器元件需要密封产品。在使用上，需要额外提示消费者将保护条拔出。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种基于P型增强型MOSFET的一次性电源电源开关电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种基于P型增强型MOSFET的一次性电源电源开关电路，包括P型增强型MOSFET管、电容C1、电源、电阻R1和易剪断导线，包括P型增强型MOSFET管、电容C1、电源、电阻R1和易剪断导线，所述P型增强型MOSFET的源极S和易剪断导线一端与电源正极连接，所述易剪断导线另一端和P型增强型MOSFET管的栅极G与电容C1和电阻R1连接，所述P型增强型MOSFET管的漏极D与负载VBAT连接，所述电容C1和电阻R1与电源负极连接。

优选的，所述电阻R1为30M欧姆。

优选的，所述易剪断导线为漆包线，铜丝，保险丝等易断良导体材料。

本实用新型的技术效果和优点：

(1)，利用P型增强型MOSFET管的工作特点做成开关器件，响应快速，可以将内部电路完全与外界隔离，防水防潮，可靠性高。

(2)，可以将导线粘贴在产品外包装上，触发线路隐蔽，无需额外提示，消费者在打开外包装的同时无感打开电源。

附图说明

图1为本实用新型的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示，本实用新型提供了的一种基于P型增强型MOSFET的一次性电源电源开关电路，包括P型增强型MOSFET管、电容C1、电源、电阻R1和易剪断导线，易剪断导线为漆包线，铜丝，保险丝等易断良导体材料，P型增强型MOSFET的源极S和易剪断导线一端与电源正极连接，易剪断导线另一端和P型增强型MOSFET管的栅极G与电容C1和电阻R1连接，P型增强型MOSFET管的漏极D与负载VBAT连接，电容C1和电阻R1与电源负极连接。

本实用新型工作原理：如图1所示，AB点通过漆包线(或其他易剪断的导线)连接。将导线贴在产品外包装膜上。当AB点连接时，P型增强型MOSFET管截止，产品供电电源处于关断状态。在运输和仓储过程中都保持此状态，对于电源(假设为3V)则会有平均0.1μA(3V/30MΩ＝0.1μA)的自损耗。在用户拆开产品时，通过结构方式切断导线，此时电容C1通过电阻R1进行放电，使Vgs达到P型增强型MOSFET管导通电压，使P型增强型MOSFET管打开，电源电流通过P型增强型MOSFET管给负载系统供电。