[实用新型]一种带OTP烧录功能模组电路结构有效
申请号: | 202120530117.6 | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN214954943U | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 黄明;吴双成;罗淼昌;何秀娟;刘传禄 | 申请(专利权)人: | 湖北三赢兴光电科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F8/61 | 分类号: | G06F8/61 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 郑飞 |
地址: | 437400 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 otp 功能 模组 电路 结构 | ||
1.一种带OTP烧录功能模组电路结构,其特征在于,包括用于模组母板内OTP烧录的测试板及预留OTP电容,所述测试板内的芯片型号为ASE5S3010,ASE5S3010芯片的VOTP引脚与所述预留OTP电容串联后接地。
2.根据权利要求1所述的带OTP烧录功能模组电路结构,其特征在于,所述模组母板内的芯片型号为GC8034W,GC8034W芯片的VOTP引脚与所述ASE5S3010芯片的VOTP引脚电连接。
3.根据权利要求1所述的带OTP烧录功能模组电路结构,其特征在于,所述预留OTP电容的大小为0.1μf,电压为10V,封装形式为0201。
4.根据权利要求1所述的带OTP烧录功能模组电路结构,其特征在于,所述测试板与模组母板通过排针插接方式电连接。
5.根据权利要求1所述的带OTP烧录功能模组电路结构,其特征在于,所述ASE5S3010芯片的VOTP引脚与所述预留OTP电容串联后接数字地DGND。
6.根据权利要求1所述的带OTP烧录功能模组电路结构,其特征在于,所述模组母板内没有预留OTP电容。
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