[实用新型]一种高性能MEMS流量传感器

权利要求书

1.一种高性能MEMS流量传感器，其特征在于，包括：

SOI衬底，包括底层硅、埋氧层及顶层硅；

腔体，包括第一腔体和第二腔体，均沿上下向贯穿底层硅；

敏感材料层，位于所述埋氧层上，由部分所述顶层硅形成，包括温度敏感元件、热电堆、加热器及压力敏感元件；

绝缘介质层，覆盖所述敏感材料层，且局部刻蚀出接触孔；

金属层，部分金属层通过所述接触孔连接所述敏感材料层。

2.根据权利要求1所述的一种高性能MEMS流量传感器，其特征在于，所述温度敏感元件、加热器和压力敏感元件的材料为P型单晶硅或N型单晶硅。

3.根据权利要求1所述的一种高性能MEMS流量传感器，其特征在于，所述热电堆的数量为两个，且对称分布在加热器的两侧，所述热电堆的热端以及加热器位于第一腔体的上方，所述热电堆的冷端位于底层硅上方。

4.根据权利要求1所述的一种高性能MEMS流量传感器，其特征在于，所述压力敏感元件的数量为四个，且形成惠斯通电桥结构，压力敏感元件位于第二腔体的上方。

5.根据权利要求1所述的一种高性能MEMS流量传感器，其特征在于，所述绝缘介质层的材料为氧化硅、氮化硅中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种高性能MEMS流量传感器，其特征在于，所述接触孔的形状为圆形、矩形或十字花形，所述第一腔体和第二腔体的截面形状为矩形或梯形。

7.根据权利要求1所述的一种高性能MEMS流量传感器，其特征在于，所述金属层的材料为钛、钨、铬、铂、铝、金中的一种。