[实用新型]一种防溢流的散热型碳化硅二极管有效

专利信息
申请号: 202120544358.6 申请日: 2021-03-16
公开(公告)号: CN214542202U 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 黄景扬 申请(专利权)人: 先之科半导体科技(东莞)有限公司
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/10;H01L23/08
代理公司: 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 代理人: 姜华
地址: 523430 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 溢流 散热 碳化硅 二极管
【权利要求书】:

1.一种防溢流的散热型碳化硅二极管,包括绝缘封装体(10),所述绝缘封装体(10)内设有碳化硅芯片(20),所述碳化硅芯片(20)的上下两侧设有贯穿所述绝缘封装体(10)的第一导电片(30)和第二导电片(40),其特征在于,所述碳化硅芯片(20)与所述第一导电片(30)之间设有位于所述绝缘封装体(10)内的第一陶瓷座(50),所述碳化硅芯片(20)与所述第二导电片(40)之间设有位于所述绝缘封装体(10)内的第二陶瓷座(60);

所述第一陶瓷座(50)中设有第一通孔(51),所述第一通孔(51)的一端连接有第一芯片让位槽(52),所述第一芯片让位槽(52)的开口面积大于所述第一通孔(51)的开口面积,所述碳化硅芯片(20)的底部限位于所述第一芯片让位槽(52)中,所述第一通孔(51)中设有连接所述碳化硅芯片(20)与所述第一导电片(30)的第一焊接层(21);

所述第二陶瓷座(60)中设有第二通孔(61),所述第二通孔(61)的一端连接有第二芯片让位槽(62),所述第二芯片让位槽(62)的开口面积大于所述第二通孔(61)的开口面积,所述碳化硅芯片(20)的顶部限位于所述第二芯片让位槽(62)中,所述第二通孔(61)中设有连接所述碳化硅芯片(20)与所述第二导电片(40)的第二焊接层(22)。

2.根据权利要求1所述的一种防溢流的散热型碳化硅二极管,其特征在于,所述第一焊接层(21)中设有若干第一铜粒(211),所述第二焊接层(22)中设有若干第二铜粒(221)。

3.根据权利要求1所述的一种防溢流的散热型碳化硅二极管,其特征在于,所述第一导电片(30)包括主体部(31)和下凸部(32),所述主体部(31)位于所述绝缘封装体(10)内,所述第一焊接层(21)连接于所述主体部(31)上,所述下凸部(32)凸出于所述绝缘封装体(10)外。

4.根据权利要求1或3所述的一种防溢流的散热型碳化硅二极管,其特征在于,所述第二导电片(40)包括平台部(41)、倾斜部(42)和接触部(43),所述平台部(41)位于所述绝缘封装体(10)内,所述第二焊接层(22)连接于所述平台部(41)下,所述倾斜部(42)贯穿所述绝缘封装体(10)的侧壁,所述接触部(43)位于所述绝缘封装体(10)外。

5.根据权利要求1所述的一种防溢流的散热型碳化硅二极管,其特征在于,所述第一芯片让位槽(52)的内壁覆盖有第一密封层(521),所述第二芯片让位槽(62)的内壁覆盖有第二密封层(621)。

6.根据权利要求5所述的一种防溢流的散热型碳化硅二极管,其特征在于,所述第一密封层(521)和所述第二密封层(621)均为导热硅胶层。

7.根据权利要求1所述的一种防溢流的散热型碳化硅二极管,其特征在于,所述第一陶瓷座(50)远离所述碳化硅芯片(20)的一侧固定有第一U形限位条(53),所述第一导电片(30)限位于所述第一U形限位条(53)中;所述第二陶瓷座(60)远离所述碳化硅芯片(20)的一侧固定有第二U形限位条(63),所述第二导电片(40)限位于所述第二U形限位条(63)中。

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