[实用新型]组合式镀膜系统有效
申请号: | 202120555911.6 | 申请日: | 2021-03-18 |
公开(公告)号: | CN214458318U | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 张勇;李学文;李军阳;刘兵吉 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/50;C23C16/24 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 林明校 |
地址: | 518118 广东省深圳市坪山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组合式 镀膜 系统 | ||
本实用新型公开了组合式镀膜系统,可用于对SHJ太阳能电池的基材进行镀膜,包括:基于HWCVD的第一镀膜腔,所述第一镀膜腔在所述基材的一面镀本征硅基薄膜;基于HWCVD的第二镀膜腔,设置在所述第一镀膜腔的后面,在所述基材的另一面镀本征硅基薄膜;基于PECVD的第三镀膜腔,设置在所述第二镀膜腔的后面,在所述基材的一面镀P型掺杂硅基薄膜以及n型掺杂硅基薄膜中的一种;基于PECVD的第四镀膜腔,设置在所述第三镀膜腔的后面,在所述基材的另一面镀P型掺杂硅基薄膜以及n型掺杂硅基薄膜中的另一种。本实用新型的组合式镀膜系统,能够提高太阳能电池的转换效率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池板制造技术领域,尤其涉及组合式镀膜系统。
背景技术
在SHJ太阳能电池的本征硅基薄膜及掺杂非晶硅薄膜制作工艺中,已知的做法通常有两种,等离子体增强化学气相沉积法(Plasma enhanced chemical vapordeposition,PECVD)和热丝化学气相沉积法(Hot wire chemical vapor deposition,HWCVD)。
已知的镀膜工艺中,在同一个镀膜系统当中,通常使用相同的镀膜工艺完成SHJ太阳能电池的本征硅基薄膜及掺杂非晶硅薄膜的制作,工艺模式较为固化。然而,近年来,随着对降本增效的要求不断提高,已知的镀膜工艺已经难以满足对太阳能电池的转换效率的要求。
实用新型内容
本实用新型旨在至少一定程度上解决已知技术问题之一。为此,本实用新型提出了一种组合式镀膜系统,能够提高太阳能电池的转换效率。
根据本实用新型一方面的组合式镀膜系统,可用于对SHJ太阳能电池的基材进行镀膜,包括:基于HWCVD的第一镀膜腔,所述第一镀膜腔在所述基材的一面镀本征硅基薄膜;基于HWCVD的第二镀膜腔,设置在所述第一镀膜腔的后面,在所述基材的另一面镀本征硅基薄膜;基于PECVD的第三镀膜腔,设置在所述第二镀膜腔的后面,在所述基材的一面镀P型掺杂硅基薄膜以及n型掺杂硅基薄膜中的一种;基于PECVD的第四镀膜腔,设置在所述第三镀膜腔的后面,在所述基材的另一面镀P型掺杂硅基薄膜以及n型掺杂硅基薄膜中的另一种。
根据本实用新型的组合式镀膜系统,至少具有如下有益效果:由于分别针对基材的本征硅基薄膜和P型掺杂硅基薄膜(n型掺杂硅基薄膜),选择对其制作更加有利的镀膜方法,因此能够至少一定程度上提高其镀膜效果,从而提高太阳能电池的转换效率。
在一些实施例中,所述组合式镀膜系统设置为同时对两块并排的基材进行镀膜。
在一些实施例中,所述第一镀膜腔和所述第二镀膜腔当中,其中一个镀膜腔包括两个第一热丝部,两块所述基材分别从两个所述第一热丝部之间通过,另外一个镀膜腔包括一个第二热丝部,两块所述基材分别从所述第二热丝部的两侧通过。
在一些实施例中,所述第一镀膜腔包括两个第一热丝部,两块所述基材分别从两个所述第一热丝部之间通过;所述第二镀膜腔包括一个第二热丝部,两块所述基材分别从所述第二热丝部的两侧通过。
在一些实施例中,所述第三镀膜腔和所述第四镀膜腔当中,其中一个镀膜腔包括两个第一电极部,两块所述基材分别从两个所述第一电极部之间通过,另外一个镀膜腔包括一个第二电极部,两块所述基材分别从所述第二电极部的两侧通过。
在一些实施例中,所述第三镀膜腔包括两个第一电极部,两块所述基材分别从两个所述第一电极部之间通过;所述第四镀膜腔包括一个第二电极部,两块所述基材分别从所述第二电极部的两侧通过。
在一些实施例中,所述第一镀膜腔的前面设置有第一预热腔。
在一些实施例中,所述第一预热腔的前面设置有第二预热腔。
在一些实施例中,所述第二预热腔的前面设置有上料腔。
在一些实施例中,所述第四镀膜腔的后面设置有下料腔。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的