[实用新型]可控硅结构

说明书

本申请提供的可控硅结构，涉及功率半导体技术领域。在本申请中，可控硅结构包括半导体结构、阳极结构、门极结构和阴极结构。半导体结构包括第一半导体材料层、第二半导体材料层、第三半导体材料层和第四半导体材料层。阳极结构与第一半导体材料层电连接，门极结构与第三半导体材料层电连接，阴极结构与第四半导体材料层电连接。阳极结构、门极结构和阴极结构至少分布于半导体结构相对的两侧。基于上述设置，可以提高可控硅结构的封装便利性。

技术领域

本申请涉及功率半导体技术领域，具体而言，涉及一种可控硅结构。

背景技术

可控硅，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，也称为晶闸管。其中，可控硅具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一，且被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，例如，可以用于整流、逆变、变频、调压等。

但是，经发明人研究发现，在现有技术中，由于可控硅的电极设置方式，使得可控硅的封装便利性较低。

实用新型内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种可控硅结构，以提高可控硅结构的封装便利性。

为实现上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：

一种可控硅结构，包括：

半导体结构，所述半导体结构包括依次层叠设置的第一半导体材料层、第二半导体材料层、第三半导体材料层和第四半导体材料层，所述第一半导体材料层、所述第二半导体材料层、所述第三半导体材料层和所述第四半导体材料层形成第一PN结、第二PN结和第三PN结；

至少一个阳极结构，所述阳极结构与所述第一半导体材料层电连接；

至少一个门极结构，所述门极结构与所述第三半导体材料层电连接；

至少一个阴极结构，所述阴极结构与所述第四半导体材料层电连接；

其中，所述至少一个阳极结构、所述至少一个门极结构和所述至少一个阴极结构至少分布于所述半导体结构相对的两侧。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述至少一个门极结构包括第一门极结构，所述至少一个阳极结构包括第一阳极结构和第二阳极结构，所述至少一个阴极结构包括第一阴极结构和第二阴极结构；

其中，所述第一门极结构、所述第一阳极结构和所述第一阴极结构位于所述半导体结构的一侧，所述第二阳极结构和所述第二阴极结构位于所述半导体结构的另一侧。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述第一门极结构和所述第一阳极结构为环状结构，所述第一阴极结构为圆形结构；

其中，所述第一阴极结构位于所述第一门极结构的内部区域，所述第一门极结构位于所述第一阳极结构的内部区域。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述第一阳极结构和所述第一阴极结构为环状结构，所述第一门极结构为圆形结构；

其中，所述第一门极结构位于所述第一阴极结构的内部区域，所述第一阴极结构位于所述第一阳极结构的内部区域。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述至少一个门极结构还包括第二门极结构，所述第二门极结构和所述第一门极结构位于所述半导体结构的同一侧。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述第一阳极结构、所述第一阴极结构和所述第二门极结构为环状结构，所述第一门极结构为圆形结构；

其中，所述第一门极结构位于所述第一阴极结构的内部区域，所述第一阴极结构位于所述第二门极结构的内部区域，所述第二门极结构位于所述第一阳极结构的内部区域。