[实用新型]半导体扩散设备有效
申请号: | 202120575072.4 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN213304067U | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 吉松超;任国威;王斌 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L21/38 | 分类号: | H01L21/38;H01L21/67 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 扩散 设备 | ||
本申请公开了一种半导体扩散设备,包括:定位架,具有环状且相互套设的第一固定位和第二固定位,第一固定位能够固定晶舟,第二固定位能够固定导向装置;晶舟,固定于第一固定位;导向装置,设于第二固定位,导向装置为具有导向通孔的筒状结构体,筒状结构体套设于晶舟外并保持预设间隙;扩散炉,扩散炉的外径与导向通孔匹配,扩散炉能够用于沿导向装置的内表面导入至晶舟和导向装置之间。在导向装置中设置与扩散炉的外壁形状贴合的导向通孔,将导向装置固定于定位架并与晶舟保持预设距离设置,扩散炉移动套设过程中方向受到导向装置的限制,沿着轴向直线移动防止与晶舟发生摩擦,避免产生摩擦后的飞屑,提高了扩散炉中的气氛的纯度,提高良品率。
技术领域
本申请涉及半导体制造设备领域,具体涉及一种半导体扩散设备。
背景技术
半导体扩散设备是集成电路制造的重要工艺设备,是一种要求能长时间连续工作,具有优异的控温精度及良好的可靠性、稳定性的自动控制设备,适用于集成电路制造过程中各种氧化、退火和扩散等工艺。
在半导体扩散设备内部安装有各种零部件,主要有晶舟、升降机构、扩散炉等。晶舟中乘放晶圆片进入扩散炉内部,进行高温的扩散。而实际生产中,对半导体扩散设备整体尺寸有具体要求,其内部空间尺寸有限。晶舟由石英材质制成,扩散炉为碳化硅材料制成,两者硬度不同,摩擦后会产生飞屑,在晶圆片的扩散过程中成为杂质进入半导体材料中,影响产品品质。
现有的扩散炉安装为人工操作,安装过程的方向无法有效控制,工作效率低。
实用新型内容
本申请实施例提供一种半导体扩散设备,能够控制扩散炉移动方向,防止扩散炉与晶舟发生摩擦,提升晶圆扩散的质量。
第一方面,本申请实施例提供一种半导体扩散设备,包括:定位架,具有环状且相互套设的第一固定位和第二固定位,所述第一固定位能够固定所述晶舟,所述第二固定位能够固定所述导向装置;晶舟,固定于所述第一固定位;导向装置,设于所述第二固定位,所述导向装置为具有导向通孔的筒状结构体,所述筒状结构体套设于所述晶舟外并保持预设间隙;
扩散炉,所述扩散炉的外径与所述导向通孔匹配,所述扩散炉能够用于沿导向装置的内表面导入至所述晶舟和所述导向装置之间。
根据本申请实施例的一个方面,导向装置包括多个弧形分片,多个弧形分片沿预设的周向排布形成导向装置。
根据本申请实施例的一个方面,弧形分片的侧壁间隔设有多条贯通的气流通道。
根据本申请实施例的一个方面,弧形分片包括多个间隔设置的弧形件,相邻弧形件之间的间隙形成气流通道,相邻弧形件之间通过支撑柱连接。
根据本申请实施例的一个方面,导向装置还包括多个加强筋,多个加强筋间隔设于弧形分片的外周,并沿弧形分片的轴向延伸。
根据本申请实施例的一个方面,相邻两个弧形分片可拆卸连接。
根据本申请实施例的一个方面,相邻的弧形分片的相对的两个端面上分别设有相互配合的连接部,相邻两个弧形分片通过连接部可拆卸连接。
根据本申请实施例的一个方面,相邻的弧形分片的外周通过锁紧件连接。
根据本申请实施例的一个方面,导向装置远离定位架的端口具有外扩的导向部。
根据本申请实施例的一个方面,导向装置由表面系数为0.05-0.10的特氟龙板构成。
在根据本申请实施例的半导体扩散设备,在导向装置中设置一个与扩散炉的外壁形状贴合的导向通孔,通过将导向装置固定于定位架上,并且与晶舟保持间隔距离设置,扩散炉移动套设过程中其移动方向受到导向装置的限制,沿着轴向直线移动防止与晶舟发生摩擦,避免产生摩擦后的飞屑,提高了扩散炉中的气氛的纯度,提高良品率,提升晶片的生产效率。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造