[实用新型]调控电路有效
申请号: | 202120583187.8 | 申请日: | 2021-03-18 |
公开(公告)号: | CN214587957U | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 凌旺;姜飞;王铮;王博然 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 215301 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调控 电路 | ||
1.一种调控电路,其特征在于,包括:
第一电流路径,连接在第一电压信号输入端与第三电压信号输出端之间,所述第一电流路径上串联有第一晶体管,所述第三电压信号输出端连接至源极驱动电路的半模拟电压信号输入端;
第二电流路径,连接在第二电压信号输入端与所述第三电压信号输出端之间,所述第二电流路径上串联有第二晶体管和降压单元;
控制单元,包括与所述第一电压信号输入端的第一输入端、与所述第二电压信号输入端连接的第二输入端,以及与所述第一晶体管的控制端连接的控制信号输出端,
其中,所述第二晶体管的控制端连接至所述第一电流路径的所述第一晶体管的下游路径。
2.根据权利要求1所述的调控电路,其特征在于,所述控制单元包括:
减法器,包括与所述第一电压信号输入端的第一输入端、与所述第二电压信号输入端连接的第二输入端;
控制信号生成单元,包括与所述减法器的输出端连接的第一输入端、参考电压信号输入端,以及连接至所述第一晶体管的控制端的输出端。
3.根据权利要求2所述的调控电路,其特征在于,
所述第二晶体管为PMOS管,所述第二晶体管的控制端还通过第一电阻器接地。
4.根据权利要求2所述的调控电路,其特征在于,所述控制信号生成单元包括:
比较器,包括与所述减法器的输出端连接的第一输入端、参考电压信号输入端,以及连接至所述第一晶体管的控制端的输出端。
5.根据权利要求1所述的调控电路,其特征在于,
所述第一晶体管为PMOS管,所述第一晶体管的控制端还通过第二电阻器连接至第一电源的正端。
6.根据权利要求2所述的调控电路,其特征在于,所述控制信号生成单元包括:
第三晶体管,串联在所述参考电压信号输入端与所述第一晶体管的控制端之间;
第四晶体管,串联在所述参考电压信号输入端与所述第三晶体管的控制端之间,所述第四晶体管的控制端连接至所述减法器的输出端。
7.根据权利要求6所述的调控电路,其特征在于,
所述第一晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为PMOS管,所述第一晶体管的控制端通过第三电阻器接地,所述第三晶体管的控制端通过第四电阻器接地。
8.根据权利要求1所述的调控电路,其特征在于,还包括:
第一续流二极管,正向串联在所述第一晶体管的输出端与所述第三电压信号输出端之间,其中,所述第二晶体管的控制端连接在所述第一晶体管的输出端与所述第一续流二极管的输入端之间。
9.根据权利要求1所述的调控电路,其特征在于,还包括:
第二续流二极管,正向串联在所述第二晶体管的输出端与所述第三电压信号输出端之间。
10.根据权利要求1所述的调控电路,其特征在于,所述降压单元包括:
齐纳二极管,设置在所述第二电流路径上的所述第二晶体管的上游。
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