[实用新型]一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构

说明书

本实用新型公开一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，包括：金属底座、设置在所述金属底座上的导电板、设置在所述金属底座上侧的固定组件；所述导电板上设置有若干导线、测试位，所述导电板的两端上均设置有一豁口；所述豁口与所述测试位相连通，所述固定组件用于将待测试的MOSFET器件固定在所述导电板的测试位上。本实用新型可快速实现贴片封装式MOSFET器件的最大额定功率的老炼测试，且测量结果误差小，精度高。

技术领域

本实用新型涉及电子器件领域，尤其涉及一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构。

背景技术

现有技术中，插件封装形式的MOSFET器件可以通过设备夹具夹住器件管脚并固定在试验设备散热片上来完成其最大额定功率的老炼测试，而贴片封装式的MOSFET器件的最大额定功率则无法通过相同的测试方法、测试设备完成老炼测试，若需进行测试则需进行焊接，导致无法实现贴片封装式的MOSFET器件最大额定功率的老炼测试。

因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术的不足，提供一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，解决现有技术中，无法实现贴片封装式的MOSFET器件最大额定功率的老炼测试的问题。

本实用新型的技术方案如下：一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，包括：金属底座、设置在所述金属底座上的导电板、设置在所述金属底座上侧的固定组件；所述导电板上设置有若干导线、测试位，所述导电板的两端上均设置有一豁口；所述豁口与所述测试位相连通，所述固定组件用于将待测试的MOSFET器件固定在所述导电板的测试位上。

测试时，将待测试的MOSFET器件放置在导电板的测试位上，通过固定组件进行固定，金属底座与老炼测试设备散热片之间涂满导热硅脂，通过导线将导电板与老炼测试设备连接，在老炼测试设备上设置能满足试验要求的输出功率，并以该输出功率为待测试的MOSFET器件持续通电，测试待测试的MOSFET器件的壳体温度在25℃至100℃之间任一温度点下的最大额定功耗P_D，计算原理如下：

其中：T_jmax为待测试的MOSFET器件的最大壳温、T_C为环境温度、R_thjc为待测试的MOSFET器件的热阻值，测试时间根据具体测试要求进行设定，完成测试后，对测试计算出的最大功率进行电压电流匹配，设定若干组测试条件(可满足温度要求)，在不同测试条件下，分别在导电板上的豁口处通过点温器对待测试的MOSFET器件的壳体温度进行测量，测试其是否满足设定的实验条件，若满足，则保持相同的测试条件持续进行测试，并测试过程中的参数进行监测计算，待测试的MOSFET器件未损坏即完成最大额定功率的老炼测试；本实用新型中的一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，可通过固定组件直接将待测试的MOSFET器件直接固定在导电板上，通过导电板进行导电、金属底座进行导热，直接外接老炼测试设备即可实现待测试的MOSFET器件的最大额定功耗P_D的测量，方便测试过程的快速进行，且可直接在豁口处进行待测试的MOSFET器件壳温的测量，此过程的目的是矫正由于测试过程中金属底座存在热损耗所产生的误差，保证测试精度更高，从而实现贴片封装式MOSFET器件的最大额定功率的老炼测试，实用性强。

进一步地，所述的一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，还包括：设置在所述测试位上的导电片。待测试的MOSFET器件放置在导电片上，即导电片设置在待测试的MOSFET器件与导电板之间，使得待测试的MOSFET器件与导电板的接触更加紧密；另一方面，设置导电片可防止测试时，待测试的MOSFET器件对导电板的磨损，影响测试结果，保证测试结果精度较高。

进一步地，所述固定组件包括：固定板、设置在所述固定板上的固定螺丝。