[实用新型]一种新型高频变压器

说明书

本实用新型公开了一种新型高频变压器，涉及变压器技术领域，解决现有变压器屏蔽效果差的技术问题，本实用新型包括包括中空结构的绕线架，绕线架的下端设有连接座，绕线架的上端设有限位板，绕线架的外围从内到外依次设有初级线圈、绝缘层、次级线圈，次级线圈的外侧设有将次级线圈、初级线圈完全包裹的纳米晶屏蔽层。本实用新型通过设置纳米晶屏蔽层将次级线圈、初级线圈完全包裹，可以起到有效的磁屏蔽效果，磁屏蔽率达到95％以上，大大减少了漏磁干扰PCB电路板的信号，保证PCB电路板的工作的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及变压器技术领域，更具体地说，它涉及一种新型高频变压器。

背景技术

高频变压器是工作频率超过中频(10kHz)的电源变压器，主要用于高频开关电源中作高频开关电源变压器，也有用于高频逆变电源和高频逆变焊机中作高频逆变电源变压器的。

用于PCB电路板的高频变压器由于缺少有效的磁屏蔽，在实际应用过程中高频变压器的漏磁会极大干扰PCB电路板的信号，从而影响PCB电路板的工作的稳定性。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是针对现有技术的上述不足，本实用新型的目的是提供一种磁屏蔽效果好的新型高频变压器。

本实用新型的技术方案是：一种新型高频变压器，包括中空结构的绕线架，所述绕线架的下端设有连接座，所述绕线架的上端设有限位板，所述绕线架的外围从内到外依次设有初级线圈、绝缘层、次级线圈，所述次级线圈的外侧设有将所述次级线圈、初级线圈完全包裹的纳米晶屏蔽层。

作为进一步地改进，所述纳米晶屏蔽层为纳米晶软磁合金薄片制成。

进一步地，所述纳米晶屏蔽层为3～5层纳米晶软磁合金薄片。

进一步地，所述纳米晶屏蔽层的外围设有绝缘防护层。

进一步地，所述连接座的底部一侧设有电性连接所述初级线圈两端的第一引脚，所述连接座的侧面设有与所述第一引脚对应的第一引线槽。

进一步地，所述连接座的底部另一侧设有电性连接所述次级线圈两端的第二引脚，所述连接座的侧面设有与所述第二引脚对应的第二引线槽。

进一步地，还包括两个E型铁芯，其中一个E型铁芯的中间插脚从所述限位板的顶部插入所述绕线架内，另一个E型铁芯的中间插脚从所述连接座的底部插入所述绕线架内，两个E型铁芯合起来将所述绕线架包裹。

进一步地，所述限位板的顶部设有与所述E型铁芯适配的第一定位槽，所述连接座的侧壁设有与所述E型铁芯适配的第二定位槽。

进一步地，所述第一定位槽两侧的所述限位板的侧壁分别设有工艺定位槽。

有益效果

本实用新型与现有技术相比，具有的优点为：

本实用新型通过设置纳米晶屏蔽层将次级线圈、初级线圈完全包裹，可以起到有效的磁屏蔽效果，磁屏蔽率达到95％以上，大大减少了漏磁干扰PCB电路板的信号，保证PCB电路板的工作的稳定性。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型中绕线架的结构示意图。

其中：1-绕线架、2-连接座、3-限位板、4-初级线圈、5-绝缘层、6-次级线圈、7-纳米晶屏蔽层、8-绝缘防护层、9-第一引脚、10-第一引线槽、11-第二引脚、12-第二引线槽、13-E型铁芯、14-第一定位槽、15-第二定位槽、16- 工艺定位槽。

具体实施方式

下面结合附图中的具体实施例对本实用新型做进一步的说明。