[实用新型]一种电源开关供电电路和电源系统有效
| 申请号： | 202120613772.8 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN214900183U | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 陈强;潘江洪;王冰;沈剑;黄嘉曦 | 申请（专利权）人： | 深圳易马达科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02;H02H3/08;H02H3/06 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 付丽平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电源开关 供电 电路 电源 系统 | ||
1.一种电源开关供电电路，其特征在于：包括输入端、输出端、开关、正温度系数热敏电阻和负温度系数热敏电阻，所述输入端用于连接电源，所述输出端用于连接负载，所述开关、所述正温度系数热敏电阻和所述负温度系数热敏电阻串联于所述输入端与所述输出端之间。
2.根据权利要求1所述的电源开关供电电路，其特征在于：
所述电源开关供电电路还包括开关驱动电路，所述开关驱动电路与所述开关连接，所述开关驱动电路用于驱动所述开关的通断。
3.根据权利要求2所述的电源开关供电电路，其特征在于：
所述开关为第一金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述输出端连接，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与所述开关驱动电路连接，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极与所述正温度系数热敏电阻或所述负温度系数热敏电阻连接。
4.根据权利要求3所述的电源开关供电电路，其特征在于：
所述电源开关供电电路还包括第一稳压元件，所述第一稳压元件并联于所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极和栅极之间。
5.根据权利要求3或4所述的电源开关供电电路，其特征在于：
所述开关驱动电路包括第二金属氧化物半导体场效应晶体管和微控制单元，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接，所述微控制单元与所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接，所述微控制单元用于控制所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与源极之间的电压差。
6.根据权利要求5所述的电源开关供电电路，其特征在于：
所述开关驱动电路还包括第一限流元件，所述第一限流元件串联于所述微控制单元与所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极之间。
7.根据权利要求5所述的电源开关供电电路，其特征在于：
所述开关驱动电路还包括第二限流元件，所述第二限流元件串联于所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极之间。
8.根据权利要求7所述的电源开关供电电路，其特征在于：
所述第二限流元件包括串联的多个第二限流电阻。
9.根据权利要求5所述的电源开关供电电路，其特征在于：
所述开关驱动电路还包括第二稳压元件，所述第二稳压元件并联于所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极和栅极之间。
10.一种电源系统，其特征在于，包括根据权利要求1至9中任一项所述的电源开关供电电路。
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