[实用新型]一种硅片制绒产线有效
申请号: | 202120616228.9 | 申请日: | 2021-03-26 |
公开(公告)号: | CN214848660U | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 马琦雯;邓舜 | 申请(专利权)人: | 常州时创能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 制绒产线 | ||
本实用新型公开了一种硅片制绒产线,包括按先后工序依次设置的:链式氧化炉,第一链式酸洗机,第一插片机,氧化槽,第一清水槽,制绒槽,第二清水槽,第二插片机,第二链式酸洗机,链式烘干炉。本实用新型在制绒槽前道设置链式氧化炉,可在制绒之前,在链式氧化炉中对硅片进行高温氧化处理,使硅片表面的有机脏污分解,可完全去除硅片表面的有机脏污,可避免因有机脏污残留在硅片表面而使制绒出现白斑、亮点等问题。
技术领域
本实用新型涉及一种硅片制绒产线。
背景技术
光伏发电是太阳能能源利用中最重要的组成部分,它是一种环保的,用之不竭的可再生能源,符合光伏行业高效率、低成本的追求。对于单晶硅电池,表面反射率是影响太阳能电池效率转换的重要因素之一,为降低表面反射率,制绒工艺起到了重要作用。
制绒的目的为在原生硅片表面产生织构以达到陷光作用,从而提高对太阳光的吸收率,进而提高电池的光电转换率。目前市面上的制绒工艺仍为传统的湿法工艺,此法在制绒结束后,硅片上会大概率出现白斑、亮点等问题,这严重影响了产线硅片的直通率,降低了产线效率。
实用新型内容
为解决现有技术的缺陷,本实用新型提供一种硅片制绒产线,包括按先后工序依次设置的:链式氧化炉,第一链式酸洗机,氧化槽,第一清水槽,制绒槽。
优选的,还包括位于制绒槽后道、且按先后工序依次设置的:第二清水槽,第二链式酸洗机,链式烘干炉。
优选的,所述第一链式酸洗机包括按先后工序依次设置的:酸洗区,漂洗区。
优选的,所述第一链式酸洗机的酸洗区设有带液滚轮和喷头,第一链式酸洗机的漂洗区设有滚轮和喷头。
优选的,所述第一链式酸洗机和氧化槽之间还设有第一插片机。
优选的,所述第二链式酸洗机包括按先后工序依次设置的:酸洗区,漂洗区。
优选的,所述第二链式酸洗机的酸洗区设有带液滚轮和喷头,第二链式酸洗机的漂洗区设有滚轮和喷头。
优选的,所述第二清水槽和第二链式酸洗机之间还设有第二插片机。
优选的,所述链式氧化炉内置刚玉轴和加热灯管。
经研究发现,之所以硅片制绒会出现白斑、亮点等问题,主要是因为硅片表面残留有有机脏污。本实用新型在制绒槽前道设置链式氧化炉,可在制绒之前,在链式氧化炉中对硅片进行高温氧化处理,使硅片表面的有机脏污分解,可完全去除硅片表面的有机脏污,可避免因有机脏污残留在硅片表面而使制绒出现白斑、亮点等问题。
但本实用新型的实用新型人经研究发现,为了完全去除硅片表面的有机脏污,链式氧化炉的温度较高(300~800℃),处理时间较长(180~250s),高温氧化处理完成后,硅片表面会形成一层较厚的SiO2层,该SiO2层的厚度不小于2nm(该SiO2层的厚度为2~8nm),该较厚的SiO2层会影响制绒,不利于制绒。为了防止该较厚的SiO2层影响制绒,本实用新型在制绒槽前道还设置第一链式酸洗机,可在第一链式酸洗机中对硅片进行酸洗(酸洗采用氢氟酸溶液),使该较厚的SiO2层完全去除。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的