[实用新型]带微流道的固态纳米孔阵列芯片

权利要求书

1.一种带微流道的固态纳米孔阵列芯片，其特征在于，所述阵列芯片由下至上依次包括：硅基片、第一电介质层、第二电介质层及若干个电极；

所述硅基片中形成有贯穿所述硅基片的空腔；

所述第一电介质层中形成有若干个贯穿所述第一电介质层的纳米孔；

所述第二电介质层中形成有若干个贯穿所述第二电介质层的微流腔及微流道，其中，每个所述微流腔均对应一个所述纳米孔，且每个所述微流腔与两个所述微流道连通；

若干个所述电极对应设置于若干个所述微流腔的上面且形成于所述第二电介质层的表面，每个所述电极裸露出部分与其对应的所述微流腔；所述空腔显露若干个所述纳米孔。

2.根据权利要求1所述的带微流道的固态纳米孔阵列芯片，其特征在于：所述硅基片中形成有一个所述空腔，且该一个空腔显露若干个所述纳米孔；或所述硅基片中形成有若干个所述空腔，且每个所述空腔均对应显露一个所述纳米孔。

3.根据权利要求1所述的带微流道的固态纳米孔阵列芯片，其特征在于：所述硅基片的厚度介于500μm～1000μm之间，所述第一电介质层的厚度介于10nm～1000nm之间，所述第二电介质层的厚度介于10nm～100μm之间。

4.根据权利要求1所述的带微流道的固态纳米孔阵列芯片，其特征在于：所述纳米孔的尺寸介于0.1nm～30nm之间。

5.根据权利要求1所述的带微流道的固态纳米孔阵列芯片，其特征在于：若干个所述微流腔相同且呈阵列排布，且相邻两排的所述微流腔的间距及相邻两个所述微流腔的间距相等。

6.根据权利要求5所述的带微流道的固态纳米孔阵列芯片，其特征在于：所述间距介于5μm～2000μm之间。

7.根据权利要求1所述的带微流道的固态纳米孔阵列芯片，其特征在于：所述微流腔的横截面形状为正方形，所述微流道的横截面形状为长方形。

8.根据权利要求7所述的带微流道的固态纳米孔阵列芯片，其特征在于：所述正方形的宽度介于1μm～1000μm之间，所述长方形的宽度介于0.5μm～500μm之间。

9.根据权利要求1所述的带微流道的固态纳米孔阵列芯片，其特征在于：所述第一电介质层的材料为SiN、SiO₂、Al₂O₃、HfO₂、ZnO或TiO₂；所述第二电介质层的材料为SiN、SiO₂、Al₂O₃、HfO₂、ZnO或TiO₂。

10.根据权利要求1所述的带微流道的固态纳米孔阵列芯片，其特征在于：所述电极的材料为TiN、Au或Pt。