[实用新型]功率二极管器件

权利要求书

1.一种功率二极管器件，其特征在于，包括衬底、设置于所述衬底上且包括有源区和终端区的碳化硅外延层、设置于所述有源区上的肖特基金属层、设置于所述肖特基金属层上的正面金属层、设置于所述终端区上且与所述肖特基金属层邻接的钝化层，以及覆盖所述钝化层和所述正面金属层的保护层，所述保护层上开设有露出所述正面金属层的窗口；所述功率二极管器件还包括依次形成于所述衬底远离所述碳化硅外延层一面的欧姆金属层和背面金属层；

其中，所述钝化层的厚度小于或等于0.1μm，且所述钝化层包括覆盖所述终端区的第一部、覆盖所述正面金属层的上表面周缘的第三部，以及连接于所述第一部和所述第三部之间的第二部，所述第二部包覆所述正面金属层的侧壁。

2.根据权利要求1所述的功率二极管器件，其特征在于，所述第三部覆盖所述正面金属层的宽度小于或等于10μm，且大于2μm。

3.根据权利要求1所述的功率二极管器件，其特征在于，所述功率二极管器件还包括设置于所述终端区与所述钝化层的第一部之间的氧化硅介质层。

4.根据权利要求1所述的功率二极管器件，其特征在于，所述保护层的材料为聚酰亚胺。

5.根据权利要求4所述的功率二极管器件，其特征在于，所述保护层的厚度在3μm至5μm之间。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的功率二极管器件，其特征在于，所述钝化层为氧化硅、氮化硅以及氧化硅和氮化硅制备而成的叠层中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的功率二极管器件，其特征在于，所述肖特基金属层的材料为Ti、W、Ta、Ni、Mo和Pt中的任意一种。

8.根据权利要求7所述的功率二极管器件，其特征在于，所述肖特基金属层的厚度在100nm至500nm之间。

9.根据权利要求1所述的功率二极管器件，其特征在于，所述正面金属层的材料为Al、Ag、Cu和Au中的任意一种。

10.根据权利要求9所述的功率二极管器件，其特征在于，所述正面金属层的厚度在2μm至5μm之间。