[实用新型]一种双玻组件结构有效
申请号: | 202120650315.6 | 申请日: | 2021-03-29 |
公开(公告)号: | CN214378473U | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 李小霞;冷崇有;李淳慧;何悦 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H02S30/10 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 组件 结构 | ||
1.一种双玻组件结构,其特征在于,包括:
双玻组件(2),包括双玻组件本体,所述双玻组件本体包括正玻和背玻,所述正玻和所述背玻之间夹设有封装材料和电池串(22),所述正玻和所述背玻均为长方体结构,所述正玻和所述背玻的长度均为L,所述正玻和所述背玻的宽度均为W,所述正玻的厚度为H1,所述背玻的厚度为H2,所述双玻组件本体在其外周粘贴有第一高温胶带(21);
层压辅助框(1),包括沿所述双玻组件(2)长度方向相对设置的两个第一边框(11)和沿所述双玻组件(2)宽度方向相对设置的两个第二边框(12),所述第一边框(11)与所述第二边框(12)围设形成能够容置所述双玻组件(2)的层压腔(13),所述层压腔(13)的长度为L+1mm~L+1.2mm,所述层压腔(13)的宽度为W+1mm~W+1.2mm,所述层压腔(13)的高度为H1+H2+1.35mm~H1+H2+1.65mm。
2.根据权利要求1所述的双玻组件结构,其特征在于,所述第一边框(11)和所述第二边框(12)均为长条状,所述第一边框(11)和所述第二边框(12)的宽度均为15mm。
3.根据权利要求1所述的双玻组件结构,其特征在于,所述双玻组件结构还包括第二高温胶带(14),所述第二高温胶带(14)粘贴于所述层压辅助框(1)靠近所述双玻组件(2)的一侧。
4.根据权利要求1所述的双玻组件结构,其特征在于,所述层压辅助框(1)为分体式结构。
5.根据权利要求4所述的双玻组件结构,其特征在于,所述第一边框(11)和相邻的所述第二边框(12)通过连接件连接。
6.根据权利要求4所述的双玻组件结构,其特征在于,所述第一边框(11)和相邻的所述第二边框(12)榫接组合。
7.根据权利要求6所述的双玻组件结构,其特征在于,相邻的一个所述第一边框(11)和一个所述第二边框(12)中,一者设有榫凹,另一者设有能够插入所述榫凹的榫舌。
8.根据权利要求1所述的双玻组件结构,其特征在于,所述层压辅助框(1)为一体式结构。
9.根据权利要求1所述的双玻组件结构,其特征在于,所述第一边框(11)和所述第二边框(12)的材质均为金属。
10.根据权利要求1所述的双玻组件结构,其特征在于,所述电池串(22)设有多个,所述双玻组件(2)还包括固定胶带(23),所述固定胶带(23)的两端分别粘接于相邻的两个所述电池串(22)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的