[实用新型]一种具有针脚拆卸结构的MOS管有效
申请号: | 202120651028.7 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN214542205U | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 吴修善;詹丁财 | 申请(专利权)人: | 世晶半导体(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L29/78 |
代理公司: | 深圳汇策知识产权代理事务所(普通合伙) 44487 | 代理人: | 梁超 |
地址: | 518133 广东省深圳市宝安区新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 针脚 拆卸 结构 mos | ||
本实用新型公开了一种具有针脚拆卸结构的MOS管,包括MOS主体,所述MOS主体一侧均匀设置有拆卸块,所述拆卸块内部均贯穿设置有针脚,所述拆卸块和针脚通过固定螺丝固定连接,所述固定螺丝螺纹连接于拆卸块的顶端,所述拆卸块靠近MOS主体的一侧均固定连接有插接块,所述插接块均位于MOS主体的内部;通过设置拆卸块,将针脚通过拆卸块与MOS主体进行装配,在进行装配时,将针脚贯穿插入拆卸块的内部,然后通过拆卸块顶端的固定螺丝将针脚与拆卸块进行固定即可,当对针脚进行拆卸时,只需要将拆卸块顶端的固定螺丝拧松,可将针脚直接拔出,进而使针脚便于进行拆卸,减少由于针脚损坏而造成的浪费。
技术领域
本实用新型涉及MOS管技术领域,特别是涉及一种具有针脚拆卸结构的MOS管。
背景技术
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道;改变栅压可以改变沟道中的空穴密度,从而改变沟道的电阻;这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管;统称为PMOS晶体管;P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。
现有的MOS管多为一体式设计,当MOS管的针脚损坏时会导致整个MOS管失效,进而增加了材料资源的浪费,并且对于后期的维护也极为不便,所以需要一种具有针脚拆卸结构的MOS管。
实用新型内容
针对上述现有技术存在的缺陷,本实用新型的目的在于提供一种具有针脚拆卸结构的MOS管。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种具有针脚拆卸结构的MOS管,包括MOS主体,所述MOS主体一侧均匀设置有拆卸块,所述拆卸块内部均贯穿设置有针脚,所述拆卸块和针脚通过固定螺丝固定连接,所述固定螺丝螺纹连接于拆卸块的顶端,所述拆卸块靠近MOS主体的一侧均固定连接有插接块,所述插接块均位于MOS主体的内部,所述插接块底端均设置有第一塑性卡块,所述插接块均通过第一塑性卡块与MOS主体卡合连接,所述插接块顶端均设置有卡槽,所述卡槽内侧均设置有弹性卡块,所述弹性卡块的一端均位于套筒的内侧,所述套筒均与连接板的底端固定连接。
进一步地,所述连接板位于MOS主体的内侧,所述连接板底端的两侧对称设置有第二塑性卡块,所述连接板通过第二塑性卡块与MOS主体卡合连接。
进一步地,所述插接块顶端远离拆卸块的一侧设置有导向槽,所述弹性卡块下端滑动连接于导向槽的内侧。
进一步地,所述固定螺丝和插接块内部贯穿设置有封装通道,所述封装通道内侧设置有针脚,所述封装通道的尺寸与针脚的尺寸相互匹配。
进一步地,所述弹性卡块位于套筒内部的一端固定连接有滑块,所述滑块顶端固定连接有固定柱,且所述滑块顶端位于固定柱的外侧设置有弹簧。
进一步地,所述套筒内部的顶端固定连接有限位块,所述限位块位于弹簧的内侧,所述限位块和弹簧卡合连接。
进一步地,所述封装通道顶端对应所述固定螺丝开设有通孔,所述固定螺丝位于拆卸块内部的一端位于通孔的内侧。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、通过设置拆卸块,将针脚通过拆卸块与MOS主体进行装配,在进行装配时,将针脚贯穿插入拆卸块的内部,然后通过拆卸块顶端的固定螺丝将针脚与拆卸块进行固定即可,当对针脚进行拆卸时,只需要将拆卸块顶端的固定螺丝拧松,可将针脚直接拔出,进而使针脚便于进行拆卸,减少由于针脚损坏而造成的浪费;
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