[实用新型]一种集成肖特基二极管的碳化硅场效应管

权利要求书

1.一种集成肖特基二极管的碳化硅场效应管，其中，包括衬底层（101）和外延层（102），所述外延层（102）背离所述衬底层（101）的一侧具有栅极沟槽（103），所述栅极沟槽（103）内设有栅极氧化层（105）以及栅电极层（106），还包括与所述栅电极层（106）顶部相连的栅极（112）；

其特征在于：所述外延层（102）中紧贴所述栅极沟槽（103）的两侧设有P-well阱区（104），所述P-well阱区（104）顶部设有源极接触N+区域（107）；还包括设于所述外延层（102）上表面的肖特基金属层（109），所述肖特基金属层（109）与所述P-well阱区（104）相连接。

2.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的碳化硅场效应管，其特征在于：所述肖特基金属层（109）的侧面还设有与所述P-well阱区（104）相连接的源极欧姆接触金属（110）。

3.根据权利要求2所述的集成肖特基二极管的碳化硅场效应管，其特征在于：还包括隔离介质层（108）和源极（113），所述隔离介质层（108）设于所述源极欧姆接触金属（110）周围，所述源极（113）与所述肖特基金属层（109）和所述源极欧姆接触金属（110）相连；

或者还包括漏极欧姆接触金属（111）和漏极（114）；所述漏极欧姆接触金属（111）设于所述衬底层（101）背离所述外延层（102）一面；所述漏极（114）与所述漏极欧姆接触金属（111）相连接。

4.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的碳化硅场效应管，其特征在于：所述栅极氧化层（105）为所述栅极沟槽（103）内表面厚度为30nm~80nm的SiO₂层；所述栅电极层（106）为填充在所述栅极氧化层（105）沟槽内的多晶硅。

5.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的碳化硅场效应管，其特征在于：所述肖特基金属层（109）材料为Au、Ti、Mo、Pt、Ni、Pd、W中的一种。