[实用新型]一种防烧坏MOS管改良结构

说明书

本实用新型提供一种防烧坏MOS管改良结构，包括芯片、封装外壳、栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚，所述封装外壳的内腔并且位于所述芯片的上表面设置有降温结构，所述降温结构包括降温板块、降温管体，所述降温板块与所述芯片的上表面连接，所述降温管体的一端与所述降温板块的上表面连接，所述降温管体的上端贯穿所述封装外壳并且延伸出所述封装外壳的上表面，所述降温管体的内侧壁周向阵列设置有若干降温翅片，所述降温板块的面积大于所述芯片的面积。本实用新型的有益效果是：具有良好的散热功能，并且栅极输入端、漏极输出端、电源输出端均能调节伸出长度，提升适用度。

技术领域

本实用新型涉及MOS管技术领域，尤其涉及一种防烧坏MOS管改良结构。

背景技术

MOS管是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate栅极；S：source源极；D：drain漏极。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。现有技术中的MOS管，由于芯片是密封的，因此散热性能差，容易因为散热受阻而烧坏，鉴于这种情况，亟待改善。

实用新型内容

基于此，本实用新型的目的在于提供一种防烧坏MOS管改良结构，具有良好的散热功能，并且栅极输入端、漏极输出端、电源输出端均能调节伸出长度，提升适用度。

本实用新型提供一种防烧坏MOS管改良结构，包括芯片、封装外壳、栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚，所述芯片设置在所述封装外壳内，所述栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚的一侧分别延伸进所述封装外壳内与所述芯片连接，所述封装外壳的内腔并且位于所述芯片的上表面设置有降温结构，所述降温结构包括降温板块、降温管体，所述降温板块与所述芯片的上表面连接，所述降温管体的一端与所述降温板块的上表面连接，所述降温管体的上端贯穿所述封装外壳并且延伸出所述封装外壳的上表面，所述降温管体的内侧壁周向阵列设置有若干降温翅片，所述降温板块的面积大于所述芯片的面积。

作为优选方案，所述封装外壳的内腔与所述芯片对应的下方分别设置有与所述栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚对应的三条导电条形槽，所述芯片的栅极输入区、漏极输出区、电源输出区分别通过引线与相应位置的导电条形槽连接，所述栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚的一端分别对应嵌合设置在所述导电条形槽内，所述栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚的另一端延伸出所述封装外壳外。

作为优选方案，各所述导电条形槽顶部内壁延其长度方向线性阵列设置有若干绝缘弹性压片，所述栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚位于所述封装外壳内的一侧均线性阵列设置有若干与所述绝缘弹性压片配合的让位槽，实际使用时，所述绝缘弹性压片分别与所述栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚上的让位槽过盈接触从而将所述栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚压紧在所述导电条形槽内；所述绝缘弹性压片的自由端设置为半弧形。

作为优选方案，所述降温板块与所述芯片接触的一表面延其宽度方向线性阵列设置有若干聚热凹槽。

作为优选方案，所述栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚位于所述封装外壳外的一侧并且靠近所述封装外壳的位置均形成有限位凸粒。

本实用新型的有益效果为：

1、通过降温板块对芯片的热量进行吸收，并且通过降温管体配合散热，大大提升芯片散热的效果，提高了散热的效率，从而避免芯片因为长期的热量积聚而导致烧坏，提升产品的使用寿命；