[实用新型]一种多重串联谐振式双波形瞬变电磁发射电路

权利要求书

1.一种多重串联谐振式双波形瞬变电磁发射电路，其特征在于，包括：

电源；

第一全桥电路，与电源的输出端连接；

第二全桥电路，与电源的输出端连接；

第一电容C₁、电感L以及电阻R串联后连接在第一全桥电路的两个输出端；

第一电容C₂、电感L以及电阻R串联后连接在第二全桥电路的两个输出端；

吸收回路，并联在第一电容C₂、电感L以及电阻R的串联结构上，用于吸收消耗的能量。

2.如权利要求1所述的多重串联谐振式双波形瞬变电磁发射电路，其特征在于，所述电源通过二极管D₉与二极管D₁₀与第一全桥电路连接，以及通过二极管D₉与二极管D₁₂与第二全桥电路连接。

3.如权利要求2所述的多重串联谐振式双波形瞬变电磁发射电路，其特征在于，所述第一全桥电路包括IGBT管Q₁、IGBT管Q₂、IGBT管Q₅、IGBT管Q₆，IGBT管Q₁的发射极与IGBT管Q₂的集电极相连，IGBT管Q₂的发射极与二极管D₁₁的阳极相连后连接在电源上，二极管D9连接IGBT管Q₅，IGBT管Q₅的发射极与IGBT管Q₆的集电极相连，IGBT管Q₆与电源连接。

4.如权利要求2所述的多重串联谐振式双波形瞬变电磁发射电路，其特征在于，所述第一全桥电路包括IGBT管Q₃、IGBT管Q₄、IGBT管Q₅、IGBT管Q₆，IGBT管Q₃的发射极与IGBT管Q₄的集电极相连，IGBT管Q₄的发射极与二极管D₁₃的阴极相连后连接在电源上，二极管D9连接IGBT管Q₅，IGBT管Q₅的发射极与IGBT管Q₆的集电极相连，IGBT管Q₆与电源连接。

5.如权利要求3所述的多重串联谐振式双波形瞬变电磁发射电路，其特征在于，电容C₁、电感L以及电阻R串联后连接于IGBT管Q₁的发射极与IGBT管Q₆的集电极之间。

6.如权利要求4所述的多重串联谐振式双波形瞬变电磁发射电路，其特征在于，电容C₂、电感L以及电阻R串联后连接于IGBT管Q₃的发射极与IGBT管Q₆的集电极之间。

7.如权利要求6所述的多重串联谐振式双波形瞬变电磁发射电路，其特征在于，所述吸收回路包括IGBT管Q₇、IGBT管Q₈以及电阻R₀，IGBT管Q₃的发射极与IGBT管Q₇的集电极相连，IGBT管Q₇的发射极与IGBT管Q₈的发射极相连，IGBT管Q₈的集电极与电阻R₀相连，再同串联的电容C₂、电感L以及电阻R并联后与IGBT管Q₆的集电极相连。

8.如权利要求3-6任意一项所述的多重串联谐振式双波形瞬变电磁发射电路，其特征在于，所有的IGBT管上均并联一二极管。