[实用新型]半导体结构、半导体元件及激光器

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：半导体单元(1)，所述半导体单元(1)的上表面设置有向下延伸的第一凹槽结构(4)；所述第一凹槽结构(4)的底部设置有向下延伸的第二凹槽结构(5)，且所述第二凹槽结构(5)的宽度小于第一凹槽结构(4)的宽度；

所述第一凹槽结构(4)和第二凹槽结构(5)的外侧设置有由离子注入形成的高阻区(6)。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二凹槽结构(5)包括自上而下依次连通的多个沟槽单元，相邻两个沟槽单元中，位于上方的沟槽单元的宽度大于位于下方的沟槽单元的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体单元(1)的上、下表面分别具有上电极(2)和下电极(3)，在横向上，所述第一凹槽结构(4)靠近所述上电极(2)的侧边与所述上电极(2)靠近所述第一凹槽结构(4)的侧边之间的距离为5－10μm。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述高阻区(6)由氩、氦或氢离子注入形成。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽结构(4)的深度为5－10μm。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二凹槽结构(5)的深度为5－10μm。

7.一种半导体元件，其特征在于，所述半导体元件包括权利要求1－6任意一项所述的半导体结构。

8.一种激光器，其特征在于，所述激光器包括权利要求7所述的半导体元件。