[实用新型]一种样本反应结构

权利要求书

1.一种样本反应结构，其特征在于：包括存储反应介质的存储器(1)以及对样本进行反复升降温处理的温度调节器(2)，其中，所述存储器(1)由同一片可弯折的软膜折叠形成，反应介质存储于所述存储器(1)以后撑起所述存储器(1)使所述存储器(1)的侧壁与所述温度调节器(2)接触。

2.根据权利要求1所述的样本反应结构，其特征在于：所述温度调节器(2)包括第一温度调节部(201)和第二温度调节部(202)，所述存储器(1)位于所述第一温度调节部(201)与所述第二温度调节部(202)之间，反应介质存储于所述存储器(1)以后撑起所述存储器(1)使所述存储器(1)的侧壁分别与所述第一温度调节部(201)、所述第二温度调节部(202)接触。

3.根据权利要求2所述的样本反应结构，其特征在于：所述第一温度调节部(201)与所述第二温度调节部(202)之间形成使光线通过的间隙(203)，所述存储器(1)包括折叠部(101)，所述折叠部(101)的至少一部分位于所述间隙(203)内。

4.根据权利要求3所述的样本反应结构，其特征在于：所述存储器(1)包括存储腔，所述存储器(1)与所述第一温度调节部(201)、所述第二温度调节部(202)的接触面积不小于所述存储腔具有最大面积的侧面面积。

5.根据权利要求4所述的样本反应结构，其特征在于：所述存储器(1)还包括形成存储腔的封边(102)，所述封边(102)与所述折叠部(101)垂直。

6.根据权利要求5所述的样本反应结构，其特征在于：所述封边(102)的宽度不小于制成所述存储器(1)的软膜厚度的两倍。

7.根据权利要求5所述的样本反应结构，其特征在于：所述第一温度调节部(201)与所述第二温度调节部(202)之间形成温度调节区，所述封边(102)位于所述温度调节区之外。

8.根据权利要求1至7任意一项所述的样本反应结构，其特征在于：所述温度调节器(2)为半导体温度调节片。