[实用新型]在晶圆级别集成的VCSEL器件

权利要求书

1.一种在晶圆级别集成的VCSEL器件，其特征在于，包括：

外延结构，其自下而上依次包括：衬底、N-DBR层、有源区、限制层和P-DBR层，其中，所述限制层形成用于限制发光孔径的限制孔；

形成于所述外延结构上的半导体光学结构，其中，所述半导体光学结构，包括：光学调制部和包覆所述光学调制部的保护部，所述光学调制部对应于所述限制孔；以及

电连接于所述外延结构的正电极和负电极。

2.根据权利要求1所述的在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述半导体光学结构包括相互叠置的至少二半导体层结构，所述至少二半导体层结构由具有不同浓度的金属原子掺杂的半导体材料制成，其中，所述至少二半导体层结构的预设区域被氧化以形成所述保护部，所述至少二半导体层结构中未被氧化的部分形成所述光学调制部。

3.根据权利要求2所述的在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述至少二半导体层结构通过外延生长工艺形成于所述外延结构的上表面。

4.根据权利要求2所述的在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，具有不同浓度的金属原子掺杂的所述半导体材料制选择如下之一：GaN、AlN、Al_XGa_1-XAs(x＝0～1)、lnP、Al_XGa_1-XAsSb(x＝0～1)、AlInAs、InGaAsP。

5.根据权利要求2所述的在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述光学调制部形成一凸透镜。

6.根据权利要求5所述的在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述至少二半导体层结构的所述半导体材料中所掺杂的金属原子的浓度自上而下依次降低。

7.根据权利要求2所述的在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述光学调制部形成一凹透镜。

8.根据权利要求7所述的在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述至少二半导体层结构的所述半导体材料中所掺杂的金属原子的浓度自上而下先升高后降低。

9.根据权利要求1所述的在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述限制层为离子限制层。

10.根据权利要求1所述的在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述限制层为氧化限制层。