[实用新型]射频馈入结构以及管式PECVD设备的电极接入结构有效
申请号: | 202120732264.1 | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN215799887U | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 张勇;李学文;李军阳;龚文志;谭晓华;张海涛;盛亚 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/509 | 分类号: | C23C16/509 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 林明校 |
地址: | 518118 广东省深圳市坪山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 结构 以及 pecvd 设备 电极 接入 | ||
本实用新型公开了射频馈入结构以及管式PECVD设备的电极接入结构。其中,射频馈入结构,用于将射频电源接入炉体的真空腔内,所述炉体的炉尾端设置有电极接入口,所述射频馈入结构包括:第一电极杆,所述第一电极杆伸进所述真空腔内;第二电极杆,设置在所述真空腔的外部,所述第二电极杆和射频电源的发射端连接;第一连接部,安装到所述电极接入口,使所述第一电极杆的轴向的一端的第一端部和所述第二电极杆的轴向的一端的第二端部相互导通,并至少使所述第一端部和所述第二端部被绝缘以及被屏蔽。本实用新型的射频馈入结构,不仅能够可靠地将射频电源引入真空腔内,而且结构简单。
技术领域
本实用新型涉及但不限于太阳能电池生产设备技术领域,尤其涉及射频馈入结构以及管式PECVD设备的电极接入结构。
背景技术
PECVD(等离子体增强化学气相沉积)广泛应用于太阳能电池的生产。目前用于太阳能电池的镀膜的PECVD设备主要有板式和管式两种。在以往的工艺中,为了追求更高的品质,通常会采用板式PECVD设备,这是因为板式PECVD设备能够采用射频等离子源,而射频等离子源具有频率高、等离子轰击小的优点。使用射频等离子源能够减少等离子体对太阳能电池片的基材(例如硅片)的轰击,提高太阳能电池的品质。
然而,由于射频等离子源的导入较困难,而且存在接地端。因此,射频等离子源在PECVD设备建立电场时,通用的方法是一端接地,一端连接电极板,只在接地端或者射频输出端放置基材。因此,板式PECVD设备采用的是平板式载板,基材平摊在载板上。这导致板式PECVD设备不仅占地面积大、而且产能非常低。
此外,管式PECVD设备使用了石墨舟结构,不仅占地面积小、而且,石墨舟单批次装片量大,能够容易地提高产能。但是,已知的管式PECVD设备采用的是中频等离子源,中频等离子源频率低,且等离子体的轰击可能会导致太阳能电池片的基材损伤,从而可能影响太阳能电池的品质。
实用新型内容
本实用新型旨在至少一定程度解决已知的PECVD设备存在的技术问题之一。为此,本实用新型提出了一种射频馈入结构,能够实现在管式PECVD设备中接入射频电源,从而能够在保证产量的同时,提高镀膜质量。此外,本实用新型还提出了具有该射频馈入结构的管式PECVD设备的电极接入结构。
根据本实用新型第一方面的射频馈入结构,用于将射频电源接入炉体的真空腔内,所述炉体的炉尾端设置有电极接入口,所述射频馈入结构包括:第一电极杆,所述第一电极杆伸进所述真空腔内;第二电极杆,设置在所述真空腔的外部,所述第二电极杆和射频电源的发射端连接;第一连接部,安装到所述电极接入口,使所述第一电极杆的轴向的一端的第一端部和所述第二电极杆的轴向的一端的第二端部相互导通,并至少使所述第一端部和所述第二端部被绝缘以及被屏蔽。
根据本实用新型第一方面的射频馈入结构,至少具有如下有益效果:由于根据射频的趋表传导以及辐射特性,使用了第一电极杆以及第二电极杆,并使用了第一连接部在使第一电极杆以及第二电极杆导通的同时对其进行绝缘以及屏蔽,不仅能够可靠地将射频电源引入真空腔(例如管式PECVD设备的炉体的真空腔)内,而且结构简单。
在一些实施例中,所述第一连接部包括:第一绝缘部,设置为至少对所述第一端部和所述第二端部进行绝缘;第一安装部,设置在所述第一绝缘部的外部,所述第一连接部通过所述第一安装部安装到所述电极接入口,并且所述第一安装部至少对所述第一端部和所述第二端部进行屏蔽。
在一些实施例中,所述第一绝缘部包括第一绝缘件,所述第一绝缘件包裹所述第一端部和所述第二端部;所述第一安装部包括第一法兰屏蔽件,所述第一连接部通过所述第一法兰屏蔽件安装到所述电极接入口,所述第一绝缘件穿设在所述第一法兰屏蔽件中。
在一些实施例中,所述第一连接部还包括第一电极导通件,所述第一电极导通件分别连接所述第一端部和所述第二端部。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的