[实用新型]一种局部正交的功率MOSFET元胞版图结构

权利要求书

1.一种局部正交的功率MOSFET元胞版图结构，其特征在于，包括栅极PAD区域（1）、第一MOSFET元胞区（2）、第二MOSFET元胞区（3）、第三MOSFET元胞区（4）、第四MOSFET元胞区（20）、栅极插指（5）、第一金属走线（6）、第二金属走线（7）和源极PAD（8），所述第一MOSFET元胞区（2）、第二MOSFET元胞区（3）和第三MOSFET元胞区（4）均由多组条形元胞构成；

所述栅极PAD区域（1）、第一MOSFET元胞区（2）、第二MOSFET元胞区（3）和第四MOSFET元胞区（20）依次并排设置，且两两区域之间通过多晶硅连接；所述第一MOSFET元胞区（2）和所述第二MOSFET元胞区（3）正交设置，所述第一MOSFET元胞区（2）和所述第四MOSFET元胞区（20）平行设置，所述源极PAD（8）位于所述第二MOSFET元胞区（3）上；

所述栅极PAD区域（1）的第一侧面连接所述第二金属走线（7），所述栅极PAD区域（1）的第二侧面通过多晶硅连接所述第一MOSFET元胞区（2），所述第三MOSFET元胞区（4）的第一侧面和所述第三MOSFET元胞区（4）的第二侧面均通过多晶硅连接所述第二金属走线（7），所述第三MOSFET元胞区（4）的第三侧面上具有所述第一金属走线（6），所述第一金属走线（6）和所述第二金属走线（7）连接；且所述第三MOSFET元胞区（4）位于所述栅极PAD区域（1）的第三侧面和所述栅极PAD区域（1）的第四侧面上，所述栅极PAD区域（1）的第一侧面和所述栅极PAD区域（1）的第二侧面相对设置，所述栅极PAD区域（1）的第三侧面和所述栅极PAD区域（1）的第四侧面相对设置，所述栅极PAD区域（1）的第一侧面和所述栅极PAD区域（1）的第三侧面垂直设置；所述第三MOSFET元胞区（4）的第一侧面和所述第三MOSFET元胞区（4）的第二侧面相对设置，所述第三MOSFET元胞区（4）的第一侧面和所述第三MOSFET元胞区（4）的第三侧面垂直设置；

所述栅极插指（5）穿过所述第三MOSFET元胞区（4）设置，且所述栅极插指（5）的一端连接所述第一金属走线（6），另一端通过多晶硅连接所述第二MOSFET元胞区（3），所述第三MOSFET元胞区（4）通过多晶硅连接所述第二MOSFET元胞区（3）；

版图结构的对称中线到栅极插指的第一垂直距离（9）加上第二MOSFET元胞区的一侧面到栅极插指的第二垂直距离（11）小于或等于第二MOSFET元胞区的一侧面到栅极PAD区域的第三垂直距离（10）；版图结构的对称中线到栅极插指的第一垂直距离（9）加上第二MOSFET元胞区的另一侧面到栅极插指的第四垂直距离（12）小于或等于第二MOSFET元胞区的另一侧面到第二金属走线的第五垂直距离（13）。

2.根据权利要求1所述的一种局部正交的功率MOSFET元胞版图结构，其特征在于，所述栅极PAD区域（1）采用金属Ni。

3.根据权利要求1所述的一种局部正交的功率MOSFET元胞版图结构，其特征在于，所述第一金属走线（6）采用金属Ni。

4.根据权利要求1所述的一种局部正交的功率MOSFET元胞版图结构，其特征在于，所述第二金属走线（7）采用金属Ni。