[实用新型]基准电压产生电路和振荡器

权利要求书

1.一种基准电压产生电路，其特征在于，包括：级联的多个N沟道耗尽型MOS管，其中：

对于任意相邻的两级所述N沟道耗尽型MOS管，前一级所述N沟道耗尽型MOS管的栅极与后一级所述N沟道耗尽型MOS管的源极连接，前一级所述N沟道耗尽型MOS管的源极与后一级所述N沟道耗尽型MOS管的漏极连接；

第一级所述N沟道耗尽型MOS管的漏极用于连接电流源，第一级所述N沟道耗尽型MOS管的源极用于输出基准电压；

最后一级所述N沟道耗尽型MOS管的栅极接地，最后一级所述N沟道耗尽型MOS管的源极通过限流电阻接地。

2.根据权利要求1所述的基准电压产生电路，其特征在于，第一级所述N沟道耗尽型MOS管的源极通过电容接地。

3.根据权利要求1所述的基准电压产生电路，其特征在于，各所述N沟道耗尽型MOS管的阈值电压存在比例关系。

4.根据权利要求3所述的基准电压产生电路，其特征在于，各所述N沟道耗尽型MOS管的阈值电压相等。

5.根据权利要求1-4任一项所述的基准电压产生电路，其特征在于，所述限流电阻为千欧级电阻。

6.一种振荡器，其特征在于，包括：如权利要求1-5任一项所述的基准电压产生电路、电流镜电路和振荡生成电路；

所述基准电压产生电路用于为所述振荡生成电路提供基准电压，并为所述电流镜电路提供基准电流；

所述电流镜电路用于根据所述基准电流为所述振荡生成电路提供充电电流；

所述振荡生成电路用于根据所述基准电压和所述充电电流产生振荡信号。

7.根据权利要求6所述的振荡器，其特征在于，所述电流镜电路包括第一P沟道增强型MOS管和第二P沟道增强型MOS管；

所述第一P沟道增强型MOS管的源极用于连接电源，所述第一P沟道增强型MOS管的栅极分别与所述第一P沟道增强型MOS管的漏极和所述第二P沟道增强型MOS管的栅极连接，所述第一P沟道增强型MOS管的漏极与所述基准电压产生电路中第一级所述N沟道耗尽型MOS管的漏极连接；

所述第二P沟道增强型MOS管的源极用于连接电源，所述第二P沟道增强型MOS管的漏极与所述振荡生成电路连接，用于为所述振荡生成电路提供充电电流。

8.根据权利要求6或7所述的振荡器，其特征在于，所述振荡生成电路包括充放电单元、比较单元和逻辑单元；

所述充放电单元分别与所述电流镜电路和所述比较单元连接，用于接收所述充电电流，并为所述比较单元提供比较电压；

所述比较单元分别与所述基准电压产生电路和所述逻辑单元连接，用于接收所述基准电压和所述比较电压，并根据所述基准电压和所述比较电压，向所述逻辑单元输出电平信号；

所述逻辑单元与所述充放电单元连接，用于根据所述电平信号控制所述充放电单元充放电。

9.根据权利要求8所述的振荡器，其特征在于，所述充放电单元包括充放电电容和N沟道增强型MOS管；

所述充放电电容的一端分别与所述电流镜电路的镜像电流输出端、所述比较单元的比较电压输入端和所述N沟道增强型MOS管的漏极连接，所述充放电电容的另一端接地；

所述N沟道增强型MOS管的栅极与所述逻辑单元连接，所述N沟道增强型MOS管的源极接地。