[实用新型]一种多容值芯片电容器

说明书

本实用新型提供一种多容值芯片电容器，包括一介质层，所述介质层的上侧面及与所述上侧面对应的下侧面分别形成有上金属层和下金属层，所述下金属层与所述上金属层均包括从所述介质层向外延伸依次设置的一TaN防扩散层、一TiW/Ti粘结层及一Ni阻隔层，所述上金属层远离所述介质层的一侧形成有不同容值的上电极，所述下金属层远离所述介质层的一侧形成有下电极。本实用新型通过将多容值电极集合设置在单介质层上，使单一电容器具备多电容值性能，解决现有技术中单电容器无法适应多电容值需要的问题。并通过结构、尺寸与性能的优配，使得到的多容值芯片电容器具备优良的性能，满足人们需求，实用性高。

技术领域

本实用新型涉及芯片电容器领域，尤其涉及一种多容值芯片电容器。

背景技术

电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。定义1：电容器，顾名思义，是“装电的容器”，是一种容纳电荷的器件。定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体(包括导线)间都构成一个电容器。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制等方面。在日常使用时，经常会有需要多种电容值的电容器的情况，需要分个设计与该多个电容值对应的多种电容器，不仅设计的时间长，精力投入也较多，且在组装过程中，需要多个但容值电容器组装，个数较多，为便于组装，有必要将多个单容值电容器在一个多容值电容器上体现，提供一种多电极电容器适用于多个单容值电容需要的电容器。

实用新型内容

本实用新型目的在于提供一种多容值芯片电容器，其上集合了多个单容值电极，解决现有技术中电容器组装过程中单个电容器的复杂性的问题。

为达到上述目的，本实用新型提供一种多容值芯片电容器，包括一介质层介质层，所述介质层的上侧面及与所述上侧面对应的下侧面分别形成有上金属层和下金属层，所述上金属层远离所述介质层的一侧形成有不同容值的上电极，所述下金属层远离所述介质层的一侧形成有下电极；所述上电极有5个，其中有2个所述上电极在测试频率1MHZ条件下，电极容值为1000pF，损耗小于2.0％，尺寸为：长度1.016±0.127mm，宽度0.889±0.127mm；有3个所述上电极在测试频率1MHZ条件下，电极容值为100pF，损耗小于2.0％，尺寸为：长度0.4±0.127mm，宽度0.35±0.127mm。

进一步优选的，所述下金属层与所述上金属层均包括从所述介质层向外延伸依次设置的一TaN防扩散层、一TiW/Ti粘结层及一Ni阻隔层。

进一步优选的，所述TaN防扩散层厚度为所述TiW/Ti粘结层厚度为所述Ni阻隔层厚度为所述上电极与所述下电极均为Au电极，其厚度为2.0±0.5μm。

进一步优选的，所述多容值芯片电容器尺寸为：长度为2.3±0.05mm，宽为1.21±0.05mm，厚度为0.2±0.06mm。

进一步优选的，所述上电极的四周留边。

进一步优选的，所述多容值芯片电容器在测试频率1MHZ条件下，损耗小于2.5％。

本实用新型的有益效果是：本实用新型提供一种多容值芯片电容器，其通过将多容值电极集合设置在单介质层上，使单一电容器具备多电容值性能，解决现有技术中电容器组装过程中单个电容器的复杂性的问题。

本实用新型通过结构、尺寸与性能的优配，使得到的多容值芯片电容器具备优良的性能，满足人们需求，实用性高。

附图说明

图1为实施例1提供的多容值芯片电容器结构俯视图；

图2为实施例1提供的多容值芯片电容器结构左视图；

图3为实施例1提供的多容值芯片电容器结构仰视图。

具体实施方式