[实用新型]一种具有保护功能的差压变送器

说明书

一种具有保护功能的差压变送器，包括差压变送器本体、减震底座，所述差压变送器本体安装在所述减震底座上；所述差压变送器本体包括壳体、硅电容传感器、测量膜盒、电子线路，所述硅电容传感器设置在测量膜盒内，所述硅电容传感器与所述电子线路连接，所述测量膜盒、电子线路安装在所述壳体内；所述壳体包括外壳、内壳，所述外壳和内壳之间填充有第一保温层，所述内壳内壁贴有第二保温层。本实用新型所述的一种具有保护功能的差压变送器，结构设计合理，具有减振、稳定、抗冻的保护功能，提高了使用寿命，还具有抗干扰功能，提高测量精度，应用前景广泛。

技术领域

本实用新型涉及差压变送器技术领域，具体涉及一种具有保护功能的差压变送器。

背景技术

差压变送器是用来检测生产过程运行中流体的流量、差压、压力、液位、密度等参数的现场仪表,因它直接与被测介质相接触,所以经常在高温、低温、腐蚀、振动、冲击、辐射等恶劣环境中运行,以及由于工艺流程的大型化、复杂化及计算机集散控制的应用,因此对变送器的精确度、长期稳定性、可靠性等均有很高的要求。

从早期精度低、笨重的大位移水银浮子式差压计,到50年代体积大、结构复杂、可靠性差、精度低的力平衡式差压变送器。到了70年代,随着技术的发展,出现了第3代微位移电子式变送器。经过了几十年的发展历程,新一代差压变送器结构简单、体积小、精度高、可靠性好。敏感元件主要有电容式、扩散硅式、电感式等。进入90年代,由于电子技术、计算机技术的高速发展以及微电子机械技术的出现,使差压变送器越做越小，功能也越来越强，正向微型化、高精度、智能化、数字化方向快速发展。

随着工业的快速发展，越来越多的大功率设备被用到了工业现场中。各种大型电动执行机构、电动机的使用使工业生产环境进一步变差，工业现场环境产生噪声污染主要由这些设备产生，这要求差压变送器能具有更高的保护性能。因此，需要研发出一种具有保护功能的差压变送器。

中国专利申请号为 CN201410398606.5公开了一种智能微差压变送器及其方法，是通过电子放大电路来提高抗干扰性能，没有对压变送器的整体保护性能进行提高。

实用新型内容

实用新型目的：为了克服以上不足，本实用新型的目的是提供一种具有保护功能的差压变送器，结构设计合理，具有减振、稳定、抗冻的保护功能，提高了使用寿命，还具有抗干扰功能，提高测量精度，应用前景广泛。

技术方案：一种具有保护功能的差压变送器，包括差压变送器本体、减震底座，所述差压变送器本体安装在所述减震底座上；所述差压变送器本体包括壳体、硅电容传感器、测量膜盒、电子线路，所述硅电容传感器设置在测量膜盒内，所述硅电容传感器与所述电子线路连接，所述测量膜盒、电子线路安装在所述壳体内；所述壳体包括外壳、内壳，所述外壳和内壳之间填充有第一保温层，所述内壳内壁贴有第二保温层。

本实用新型所述的具有保护功能的差压变送器，结构设计合理，具有减振、稳定、抗冻的保护功能，提高了使用寿命，应用前景广泛。

本实用新型所述差压变送器是基于硅电容传感器可选择单晶硅压阻式差压传感器的一种高精度的差压变送器，可以采用MEMS加工工艺，如化学气相沉积、薄膜积淀、扩散、离子注入、光刻、溅射、蒸镀等，在单晶硅材料上制作四个压敏电阻并将此四个电阻连接构成惠斯通电桥，该电桥位于硅杯底部即承压弹性膜上，最后采用湿法腐蚀工艺把硅杯从整个体硅上刻蚀下来;当在硅压力芯片表面施加一定的均布载荷时，芯片会产生相应的应力应变以及变形，从而使刻蚀在硅杯上的压敏电阻受到应力的影响，由于压阻效应，压敏电阻阻值将发生改变，通过测量膜盒测量这些电阻构成的惠斯通电桥桥路电压的变化量，测得的这一失衡电压后通过电子线路，显示在液晶板上，也可以经HART协议、D/A转换后从计算机上位机软件中读取结果。上述硅电容传感器的结构、液晶板、计算机等的设置以及选择，均为本领域的公知常识，不影响本实用新型技术方案的实现。