[实用新型]一种双向进出管式PECVD设备有效
申请号: | 202120783881.4 | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN215887226U | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 高斌;施文成;李友军;李友萍 | 申请(专利权)人: | 无锡德欣光伏科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50 |
代理公司: | 无锡市才标专利代理事务所(普通合伙) 32323 | 代理人: | 吕志垚 |
地址: | 214000 江苏省无锡市锡山区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双向 进出 pecvd 设备 | ||
本实用新型公开了一种双向进出管式PECVD设备,包括放舟室、预热室、PECVD反应室、冷却室和取舟室,所述放舟室左侧设置有预热室,所述预热室左侧设置有PECVD反应室,所述PECVD反应室左侧设置有冷却室,所述冷却室左侧设置有取舟室,当石墨舟通过预热室送入PECVD反应室中进行反应,由于反应室中发生的离子反应会有剧烈噪音、辐射、有害气体等,通过防辐射层和隔音层可以有效的隔绝一定的辐射和噪音,通过缓冲垫和弹簧可以有效的对可能发生的震动起到缓冲作用,该机构可以有效防止的PECVD设备内部离子在反应时会有剧烈噪音、辐射、有害气体等,工作人员在工作时会由于这些可能会照成一定的伤害,同时剧烈的噪音可能会导致设置震动,导致反应效果不理想的问题。
技术领域
本实用新型属于PECVD设备相关技术领域,具体涉及一种双向进出管式 PECVD设备。
背景技术
PECVD技术是在低气压下,利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上(即样品放置的托盘)产生辉光放电,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的工艺气体,这些气体经一系列化学反应和等离子体反应,最终在样品表面形成固态薄膜。
公开号为CN211170884U公开了一种双向进出管式PECVD设备,包括至少一个设备进口和一个设备出口,自设备进口朝向设备出口依次设置放舟部、预热部、PECVD工艺反应炉管、冷却部和取舟部,放舟部将石墨舟外部的石墨舟抓取并收取到放舟部,放舟部将石墨舟放至预热部进行预热,预热完成后石墨舟移动到PECVD工艺反应炉管进行反应,结束后再到冷却部冷却,冷却结束后通过取舟部将石墨舟取出设备。
由于PECVD设备内部离子在反应时会有剧烈噪音、辐射、有害气体等,工作人员在工作时会由于这些可能会照成一定的伤害,同时剧烈的噪音可能会导致设置震动,导致反应效果不理想。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种双向进出管式PECVD设备,以解决上述背景技术中提出的由于PECVD设备内部离子在反应时会有剧烈噪音、辐射、有害气体等,工作人员在工作时会由于这些可能会照成一定的伤害,同时剧烈的噪音可能会导致设置震动,导致反应效果不理想问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种双向进出管式 PECVD设备,包括放舟室、预热室、PECVD反应室、冷却室和取舟室,所述放舟室左侧设置有预热室,所述预热室左侧设置有PECVD反应室,所述PECVD 反应室左侧设置有冷却室,所述冷却室左侧设置有取舟室,所述PECVD反应室内部设置防辐射隔热机构。
优选的,所述防辐射隔热机构包括反应室外壳、隔热层二、缓冲垫一、弹簧、缓冲垫二、防辐射层和隔音层,所述反应室外壳内部设置有隔热层二,所述隔热层二内部设置缓冲垫一,所述缓冲垫一左侧设置有弹簧,所述弹簧左侧设置有缓冲垫二,所述缓冲垫二设置在隔音层上,所述隔音层内部设置有防辐射层。
优选的,所述反应室外壳内部通过焊接固定连接有隔热层二,所述隔热层二内部通过焊接固定连接缓冲垫一,所述缓冲垫一左侧通过焊接固定连接有弹簧,所述弹簧左侧通过焊接固定连接有缓冲垫二,所述缓冲垫二通过焊接固定连接在隔音层上,所述隔音层内部通过焊接固定连接有防辐射层。
优选的,所述放舟室左侧通过焊接固定连接有预热室,所述预热室左侧通过焊接固定连接有PECVD反应室,所述PECVD反应室左侧通过焊接固定连接有冷却室,所述冷却室左侧通过焊接固定连接有取舟室。
优选的,所述放舟室、预热室、PECVD反应室、冷却室和取舟室下方通过焊接固定连接有底座,所述放舟室、预热室、PECVD反应室、冷却室和取舟室之间通过焊接固定连接有隔热层一。
优选的,所述底座下方通过焊接固定连接支柱,所述支柱下方通过焊接固定连接软垫。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的