[实用新型]射频器件和天线装置有效
申请号: | 202120785598.5 | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN215184461U | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 郭景文;曲峰 | 申请(专利权)人: | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01P1/19 | 分类号: | H01P1/19;H01P1/18;H01Q3/36;H01F29/14 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亚;姜春咸 |
地址: | 100176 北京市北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 器件 天线 装置 | ||
1.一种射频器件,其特征在于,包括:
介质结构,其包括磁电耦合材料;
至少一组控制电极,所述至少一组控制电极中的每组包括第一子电极和第二子电极;且所述第一子电极和所述第二子电极被配置为,在被施加电压信号后产生电场,改变所述介质结构的磁导率。
2.根据权利要求1所述射频器件,其特征在于,所述至少一组控制电极中的每组的所述第一子电极和所述第二子电极同层设置,且所述第一子电极和所述第二子电极均包括叉指电极,所述第一子电极的叉指电极与所述第二子电极的叉指电极交替设置。
3.根据权利要求1或2所述的射频器件,其特征在于,所述射频器件为波导移相器;所述波导移相器还包括:波导腔体;
所述介质结构包括至少一个介质子腔体;所述介质子腔体的延伸方向与所述波导腔体的延伸方向相同;
所述控制电极设置在所述介质子腔体的侧壁内。
4.根据权利要求3所述的射频器件,其特征在于,在所述介质子腔体的各个侧壁内均设置有所述控制电极。
5.根据权利要求3所述的射频器件,其特征在于,所述介质子腔体的各个侧壁内均设置有多组所述控制电极,且多组控制电极沿所述介质子腔体的延伸方向依次设置;任一所述侧壁内的各组所述控制电极的第一子电极的叉指电极数量不同。
6.根据权利要求5所述的射频器件,其特征在于,任一所述侧壁内的各组所述控制电极的第一子电极的叉指电极数量单调增或者单调减。
7.根据权利要求3所述的射频器件,其特征在于,所述波导移相器包括两个所述介质子腔体;且在两个所述介质子腔体之间设置有加载介质。
8.根据权利要求7所述的射频器件,其特征在于,所述加载介质包括陶瓷。
9.根据权利要求3所述的射频器件,其特征在于,所述波导移相器还包括电压控制接口,一个所述电压控制接口通过所述波导腔体与所述第一子电极或第二子电极相连接。
10.根据权利要求1或2所述的射频器件,其特征在于,所述射频器件为可变电感;所述介质结构包括相对设置的第一表面和第二表面;所述至少一组控制电极设置在所述介质结构的第一表面上;所述可变电感还包括位于所述介质结构第二表面上的电感组件。
11.根据权利要求10所述的射频器件,其特征在于,所述可变电感包括多组所述控制电极,且沿所述可变电感的长度方向并排设置,不同组中的所述控制电极的第一子电极的叉指电极的数量不同。
12.根据权利要求11所述的射频器件,其特征在于,所述各组控制电极的第一子电极的叉指电极数量单调增或者单调减。
13.一种天线装置,其特征在于,包括如权利要求1-12中任一项所述的射频器件。
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