[实用新型]一种阵列基板、显示面板有效

专利信息
申请号: 202120788890.2 申请日: 2021-04-14
公开(公告)号: CN215067644U 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 陈俊明;王小元;吴忠山;杨国栋;万彬;刘艳;雷丹 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 李娜
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底和设置在所述衬底上的多个呈阵列排布的子像素,每个所述子像素包括依次层叠设置的连接电极、绝缘层和像素电极;所述绝缘层具有贯穿的第一过孔,所述像素电极包括第一子电极、多个并排设置的第二子电极以及位于所述第一子电极和所述第二子电极之间的第三子电极;

在每个所述子像素中,所述第一子电极通过所述第一过孔与所述连接电极连接,相邻的两个所述第二子电极之间具有狭缝,所述第三子电极分别与所述第一子电极和多个所述第二子电极连接,所述第二子电极的延伸方向和所述第三子电极的延伸方向相交;

每个所述狭缝具有朝向所述第一子电极的第一端,所述狭缝被划分为第一狭缝和第二狭缝,所述第一狭缝的第一端与所述第一子电极沿第一方向延伸后的区域存在重合区域,所述第二狭缝的第一端与所述第一子电极沿第一方向延伸后的区域不存在重合区域;所述第一方向平行于所述衬底、且与所述第一子电极远离所述第二子电极一侧所在的平面垂直;

其中,至少一个所述第一狭缝的所述第一端到所述第一子电极远离所述第二子电极一侧所在平面的距离,小于所述第二狭缝的所述第一端到所述第一子电极远离所述第二子电极一侧所在平面的距离。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所有的所述第一狭缝的所述第一端到所述第一子电极远离所述第二子电极一侧所在平面的距离,小于所述第二狭缝的所述第一端到所述第一子电极远离所述第二子电极一侧所在平面的距离。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一狭缝的所述第一端延伸至所述第一子电极所在的位置,且所述第三子电极在所述第一狭缝所在的位置断开设置。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一子电极包括相连的接触部和倾斜部,所述接触部位于所述第一过孔底部,所述倾斜部沿所述第一过孔的侧壁设置,所述接触部与所述连接电极连接,所述第一狭缝的所述第一端延伸至所述倾斜部所在的位置或延伸至所述接触部所在的位置。

5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一端沿平行于所述衬底方向上的截面形状为折线形或弧形。

6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每个所述狭缝还具有远离所述第一子电极一侧的第二端,所有的所述狭缝的所述第二端到所述第一子电极远离所述第二子电极一侧所在平面的距离相同。

7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括多条数据线和多条栅线,所述数据线和所述栅线相交且绝缘,所述子像素位于相邻的两条所述数据线和相邻的两条所述栅线限定的位置处;在每个所述子像素中,所述数据线中位于相邻的两条所述栅线之间的数据线段与所述第二子电极平行设置。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,针对同一列相邻两个所述子像素,其中一个所述子像素中的所述第二子电极的延伸方向与参考线的延伸方向之间的夹角为第一夹角,另一个所述子像素中的所述第二子电极的延伸方向与所述参考线的延伸方向之间的夹角为第二夹角,所述第一夹角和所述第二夹角相等;

同一行的各个所述子像素中的所述第二子电极的延伸方向与所述参考线的延伸方向之间的夹角相等;所述参考线为相邻两行的所述子像素之间的与行方向平行的栅线段。

9.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,每个所述第二子电极包括第一导电部和第二导电部,所述第一导电部与所述第二导电部以参考轴呈镜面对称,所述参考轴为各所述第二子电极的所述第一导电部与所述第二导电部的连接点连成的直线;

并且,各个所述子像素中的所述第一导电部的延伸方向相同,各个所述子像素中的所述第二导电部的延伸方向也相同。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202120788890.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top