[实用新型]一种大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构有效
| 申请号： | 202120791578.9 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN216435890U | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 梅宇峰;黄达鹏 | 申请（专利权）人： | 品捷电子（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/49;H01L23/367 |
| 代理公司： | 苏州通途佳捷专利代理事务所(普通合伙) 32367 | 代理人： | 闵东 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 多基导内 绝缘 to 系列 封装 结构 | ||
1.一种大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构，包括一框架基体，所述框架基体的上端设置有散热片（1），中间为多基导内绝缘模块底板铜框架（4），下端为若干管脚（5），其特征在于：所述多基导内绝缘模块底板铜框架（4）上封装有陶瓷片（9），所述陶瓷片（9）上至少设置第一基岛（2）和第二基岛（8），所述第一基岛（2）上组装有第一大功率芯片（3），所述第二基岛（8）上组装有第二大功率芯片（7），若干的所述管脚（5）设置在所述陶瓷片（9）上，所述第一大功率芯片（3）和所述第二大功率芯片（7）与所述管脚（5）之间连接有键合引线（6）。
2.根据权利要求1所述的大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构，其特征在于：所述陶瓷片（9）还设置有第三基岛（10），所述第三基岛（10）上设置有第三大功率芯片（11）。
3.根据权利要求1所述的大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构，其特征在于：所述第一大功率芯片（3）为MOS管、可控硅、快恢复二极管、碳化硅、氮化镓或IC芯片。
4.根据权利要求1所述的大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构，其特征在于：所述第二大功率芯片（7）为MOS管、可控硅、快恢复二极管、碳化硅、氮化镓或IC芯片。
5.根据权利要求2所述的大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构，其特征在于：所述第三大功率芯片（11）为MOS管、可控硅、快恢复二极管、碳化硅、氮化镓或IC芯片。
6.根据权利要求1所述的大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构，其特征在于：所述陶瓷片（9）为氧化铝基板或氮化铝基板。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构，其特征在于：所述键合引线（6）为铝线或铜片。
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