[实用新型]W波段E面波导双通带滤波器有效

专利信息
申请号: 202120791994.9 申请日: 2021-04-17
公开(公告)号: CN214411471U 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 江云;王青平;黄昭宇;刘博源;吴微微;张晓发;王超;袁乃昌 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20
代理公司: 国防科技大学专利服务中心 43202 代理人: 王文惠
地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 波段 波导 双通带 滤波器
【权利要求书】:

1.W波段E面波导双通带滤波器,其特征在于:包括下腔体(4)和上腔体(5),下腔体(4)的上部与上腔体(5)的下部连接,下腔体(4)的上表面开设凹槽,凹槽内设置介质基板(2),介质基板(2)上部设置金属箔层(1),介质基板(2)下部设置下接地层(3),金属箔层(1)有小型化直线型谐振单元(7)、上接地层(8)和均匀阻抗谐振单元(9),下接地层(3)通过下腔体(4)和上腔体(5)与上接地层(8)连接。

2.如权利要求1所述的W波段E面波导双通带滤波器,其特征在于:所述的小型化直线型谐振单元(7)有五个横向的横矩形金属箔条和三个纵向的纵矩形金属箔条,五个横向的横矩形金属箔条分别为第一横矩形金属箔条(71)、第二横矩形金属箔条(72)、第三横矩形金属箔条(73)、第四横矩形金属箔条(74)和第五横矩形金属箔条(75),三个纵向的矩形金属箔条分别为第一纵矩形金属箔条(76)、第二纵矩形金属箔条(77)和第三纵矩形金属箔条(78),第一纵矩形金属箔条(76)和第三纵矩形金属箔条(78)分别与第三横矩形金属箔条(73)的两端连接,第二纵矩形金属箔条(77)分别与第一横矩形金属箔条(71)、第二横矩形金属箔条(72)、第三横矩形金属箔条(73)、第四横矩形金属箔条(74)和第五横矩形金属箔条(75)连接,第一横矩形金属箔条(71)和第五横矩形金属箔条(75)关于第三横矩形金属箔条(73)沿纵向对称,第二横矩形金属箔条(72)和第四横矩形金属箔条(74)关于第三横矩形金属箔条(73)沿纵向对称,第一纵矩形金属箔条(76)和第三纵矩形金属箔条(78)关于第二纵矩形金属箔条(77)沿横向对称。

3.如权利要求1所述的W波段E面波导双通带滤波器,其特征在于:所述的均匀阻抗谐振单元(9)有纵向的第一矩形金属箔条(91)和第二矩形金属箔条(92)。

4.如权利要求1所述的W波段E面波导双通带滤波器,其特征在于:所述的上接地层(8)有横向的第一上接地层(81)和第二上接地层(82),小型化直线型谐振单元(7)和均匀阻抗谐振单元(9)位于第一上接地层(81)和第二上接地层(82)之间,第一上接地层(81)和第二上接地层(82)关于第三横矩形金属箔条(73)沿横向对称。

5.如权利要求1所述的W波段E面波导双通带滤波器,其特征在于:小型化直线型谐振单元(7)位于第一矩形金属箔条(91)和第二矩形金属箔条(92)之间,第一矩形金属箔条(91)和第二矩形金属箔条(92)关于第二纵矩形金属箔条(77)沿纵向对称。

6.如权利要求1所述的W波段E面波导双通带滤波器,其特征在于:所述的下接地层(3)有横向的第一下接地层(31)和第二下接地层(32),第一下接地层(31)和第二下接地层(32)分别位于凹槽内的两侧。

7.如权利要求1所述的W波段E面波导双通带滤波器,其特征在于:所述的凹槽有第一凹槽(45)和第二凹槽(46)。

8.如权利要求1所述的W波段E面波导双通带滤波器,其特征在于:所述的下腔体(4)的上表面开设下空气腔(49),上腔体(5)的下表面对应开设上空气腔(57),下空气腔(49)与凹槽相通。

9.如权利要求1-8任意一项所述的W波段E面波导双通带滤波器,其特征在于:所述的介质基板(2)安插在下腔体(4)开设的凹槽内与上腔体(5)共同构成W波段E面波导双通带滤波器;W波段E面波导双通带滤波器结构中心为原点,介质基板(2)的短边为x轴,介质基板(2)的长边为y轴,按照右手法则确定z轴,W波段E面波导双通带滤波器结构关于y轴对称,介质基板(2)关于x轴左右对称,关于y轴上下对称,小型化直线型谐振单元(7)关于x轴左右对称,关于y轴上下对称,均匀阻抗谐振单元(9)关于x轴左右对称。

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