[实用新型]碳化硅生长装置有效
申请号: | 202120795362.X | 申请日: | 2021-04-19 |
公开(公告)号: | CN214572360U | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 汪良;张洁;王旻峰 | 申请(专利权)人: | 福建北电新材料科技有限公司 |
主分类号: | C30B23/00 | 分类号: | C30B23/00;C30B29/36 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 冯洁 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化硅 生长 装置 | ||
1.一种碳化硅生长装置,其特征在于,包括:
坩埚;
过滤组件,所述过滤组件设置于所述坩埚内,且所述过滤组件将所述坩埚的内部划分为沿上下方向分布的第一腔体和第二腔体;其中,所述过滤组件包括第一孔板和铺设于所述第一孔板上的碳化硅颗粒层,且所述碳化硅颗粒层位于所述第二腔体内。
2.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置,其特征在于,所述过滤组件还包括第二孔板,所述碳化硅颗粒层夹设于所述第一孔板和所述第二孔板之间。
3.根据权利要求2所述的碳化硅生长装置,其特征在于,所述第二孔板为石墨板。
4.根据权利要求2所述的碳化硅生长装置,其特征在于,所述第二孔板的厚度为1-5mm。
5.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置,其特征在于,沿所述碳化硅颗粒层的厚度方向,所述碳化硅颗粒层的碳化硅颗粒的粒径从靠近所述第一孔板的一端至远离所述第一孔板的一端逐渐减小。
6.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置,其特征在于,所述第一孔板设置有圆孔、方孔、三角形孔和长孔中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置,其特征在于,所述第一孔板的厚度为1-5mm。
8.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置,其特征在于,所述第一孔板为石墨板。
9.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置,其特征在于,所述坩埚包括相互连接的第一坩埚筒体和第二坩埚筒体,其中,所述第一坩埚筒体的内径大于所述第二坩埚筒体的内径,所述第一坩埚筒体和所述第二坩埚筒体的连接处形成台阶面,所述第一孔板搭接于所述台阶面。
10.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置,其特征在于,所述碳化硅生长装置还包括籽晶盖,所述坩埚具有敞口,所述籽晶盖与所述坩埚可拆卸地连接,用于封闭或打开所述敞口,且所述籽晶盖用于设置籽晶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建北电新材料科技有限公司,未经福建北电新材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202120795362.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种W钢带井字形护板
- 下一篇:一种陶片生产用原料搅拌装置