[实用新型]一种微波等离子发生系统和蚀刻设备有效
申请号: | 202120820527.4 | 申请日: | 2021-04-21 |
公开(公告)号: | CN215418097U | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 余涛;庞金元 | 申请(专利权)人: | 上海璞芯科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67;H05H1/46 |
代理公司: | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人: | 朱斌兵 |
地址: | 200000 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微波 等离子 发生 系统 蚀刻 设备 | ||
本实用新型公开了一种微波等离子发生系统和蚀刻设备;微波等离子发生系统包括微波电源、波导管、微波谐振腔、送气部和进气装置;波导管一端与微波电源相连;微波谐振腔上具有进气口和至少两个送气口,微波谐振腔与波导管的另一端相通;送气部与送气口相通,进气装置与进气口相通;蚀刻设备包括微波等离子发生系统、晶圆处理腔室、晶圆传送系统和离子化气体控制系统;本实用新型的微波等离子发生系统和蚀刻设备,在微波谐振腔内同时使用两根高纯石英管作为离子化气体的送气通道,这样离子化后的气体分别同时导入两个晶圆处理腔室,实现了一套微波等离子发生系统能同时对两个晶圆进行等离子蚀刻处理的能力,提升了晶圆的处理速度,生产能力强。
技术领域
本实用新型涉及刻蚀技术领域,尤其涉及一种微波等离子发生系统和蚀刻设备。
背景技术
用于集成电路制造的蚀刻设备,主要包括微波等离子发生系统、晶圆处理腔室、真空系统、工艺气体控制系统和晶圆传送系统。
其中,微波等离子发生系统主要用于产生处理晶圆的等离子体,晶圆处理腔室主要用于对晶圆进行蚀刻的工艺处理低压空间,使得产生的等离子体进入晶圆处理腔室后,在偏转电压的驱动下加速,对晶圆的表面进行蚀刻,在无光阻阻挡的晶圆部分,实现微观尺寸的沟槽,达到蚀刻的工艺目的。
但是现有的该类型蚀刻设备都是一套微波等离子发生系统对应一个晶圆处理腔室,造成晶圆处理速度慢,连续生产产能较低,无法满足大规模处理需求。
实用新型内容
本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种结构简单,一套微波等离子发生系统能给两个晶圆处理腔提供离子化气体,提升了晶圆处理能力的微波等离子发生系统和蚀刻设备。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种微波等离子发生系统,包括:
微波电源;
波导管,所述波导管一端与所述微波电源相连;
微波谐振腔,所述微波谐振腔上具有进气口和至少两个送气口,所述微波谐振腔与所述波导管的另一端相通;
送气部,所述送气部与所述送气口相通;
进气装置,所述进气装置与所述进气口相通。
进一步的,所述送气口的数量为两个。
进一步的,所述送气部为一石英管。
一种蚀刻设备,包括微波等离子发生系统、晶圆处理腔室、晶圆传送系统和离子化气体控制系统;
所述微波等离子发生系统上设有与每个所述送气部对应相通的晶圆处理腔室;所述晶圆处理腔室一侧设有晶圆传送系统,用于将晶圆送至晶圆处理腔;所述晶圆处理腔室上还设有离子化气体控制系统,用于控制离子化系统对晶圆进行蚀刻处理。
由于上述技术方案的运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
本实用新型方案的微波等离子发生系统和蚀刻设备,在微波谐振腔内同时使用两根高纯石英管作为离子化气体的送气通道,这样离子化后的气体分别同时导入两个晶圆处理腔室,从而实现了一套微波等离子发生系统能同时对两个晶圆进行等离子蚀刻处理的能力,提升了晶圆的处理速度,生产能力强,符合实际的生产加工需求。
附图说明
下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明:
附图1为本实用新型的结构示意图;
其中:微波电源1、波导管2、微波谐振腔3、送气部4、离子化气体控制系统5、晶圆传送系统6、晶圆处理腔室7。
具体实施方式
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