[实用新型]一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置

说明书

本发明公开了一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置，包括箱体，所述箱体的底部固定连接有底座，所述箱体内腔的右下角固定连接有溶液箱，所述箱体内壁的前后两侧之间且位于溶液箱的顶部转动连接有滚筒，所述滚筒的底部贯穿溶液箱的顶部并延伸至溶液箱的内部，所述箱体的前后两侧之间且位于溶液箱的左侧贯穿滑动连接有引导辊，本发明涉及薄膜制备技术领域。该用于快速制备氮化镓薄膜的装置，通过设置引导辊，可将薄膜牵引至传动辊上，使薄膜贴合传动辊表面，便于后续传输，然后利用第一吹气筒向左上方吹风，可将薄膜的一端吹出装置，便于在外部卷收，操作简单，不同打开箱体进行牵引，大大提高了工作效率。

技术领域

本发明涉及薄膜制备技术领域，具体为一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置。

背景技术

薄膜是一种薄而软的透明薄片。用塑料、胶粘剂、橡胶或其他材料制成。薄膜科学上的解释为：由原子，分子或离子沉积在基片表面形成的2维材料。例：光学薄膜、复合薄膜、超导薄膜、聚酯薄膜、尼龙薄膜、塑料薄膜等等。薄膜被广泛用于电子电器、机械和印刷等行业，薄膜材料是指厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层，电子半导体功能器件和光学镀膜是薄膜技术的主要应用。

氮化镓，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中，此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。

现有的薄膜生产设备在薄膜成型后需要卷收，但制备设备一般是在箱体内部，在引出薄膜时需要打开箱体再牵引出，较为麻烦，且现有的薄膜在成型过程中需要烘干或自动冷却成型，效率较低，而使用热风吹，虽然效率更高，但很容易使薄膜变形，难以控制。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置，解决了现有的薄膜生产设备在薄膜成型后引出薄膜时需要打开箱体再牵引出，较为麻烦，且现有的薄膜在成型过程中需要烘干或自动冷却成型，效率较低，而使用热风吹很容易使薄膜变形，难以控制的问题。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置，包括箱体，所述箱体的底部固定连接有底座，所述箱体内腔的右下角固定连接有溶液箱，所述箱体内壁的前后两侧之间且位于溶液箱的顶部转动连接有滚筒，所述滚筒的底部贯穿溶液箱的顶部并延伸至溶液箱的内部，所述箱体的前后两侧之间且位于溶液箱的左侧贯穿滑动连接有引导辊，且箱体的前后两侧均开设有与引导辊相适配的滑槽，所述箱体的前后两侧之间且位于滑槽左端的底部转动连接有传动辊，所述箱体内壁的前后两侧之间且位于传动辊的下方固定连接有向左上方斜向吹风的第一吹气筒，所述箱体的左壁且位于传动辊的左侧开设有出料口。

优选的，所述箱体的右上角转动连接有加热烘干箱，所述加热烘干箱的左侧呈与滚筒表面平行的弧面，所述加热烘干箱的左侧固定连接有弧形丝网，且弧形丝网的右侧缝合有纱布。

优选的，所述加热烘干箱内表面的顶部固定连接有加热座，且加热座的底部固定连接有螺旋加热丝，所述加热烘干箱的下方固定连接有镂空板。

优选的，所述箱体内腔的左上角固定连接有机箱，且机箱内腔的底部固定连接有鼓风机，所述鼓风机的出风口连通有四通管，所述四通管的三面分别连通有第一吹风管、第二吹风管和第三吹风管，所述第一吹风管的右端与加热烘干箱的左侧连通，所述第二吹风管的一端贯穿箱体的后壁并与第一吹气筒的右侧连通。

优选的，所述箱体内壁的前后两侧之间且位于溶液箱的左上角转动连接有刮板，且刮板的右侧与滚筒的表面贴合，所述刮板底部的右侧与溶液箱的顶部之间固定连接有弹簧。

优选的，所述箱体内壁的前后两侧之间且位于刮板的上方固定连接有第二吹气筒，且第二吹气筒的顶部与第三吹风管的一端连通。