[实用新型]一种容性交叉耦合结构

说明书

本实用新型涉及一种容性交叉耦合结构，包括壳体，壳体内设有至少一个第一谐振腔以及至少一个第二谐振腔，第一谐振腔、第二谐振腔内均设有谐振杆，第一谐振腔与相邻的一个第二谐振腔之间设有飞杆，飞杆为U型状金属结构，飞杆的U型开口朝下，谐振杆的上端设有外翻边，所述飞杆的一侧位于第一谐振腔内，并与第一谐振腔内的谐振杆的外翻边贴焊，所述飞杆的另一侧位于对应的第二谐振腔内，并与对应的第二谐振腔内的谐振杆的外翻边间隔对应，形成耦合。采用上述结构的容性交叉耦合结构空间占用少，无需飞杆卡座，耦合强，在低频设计中非常实用，有效解决常规飞杆因为空间不足无法放置及飞杆无法加强的问题，且加工成本低。

技术领域

本实用新型属于通信技术领域，具体涉及一种容性交叉耦合结构。

背景技术

在滤波器、合路器等无源射频器件设计中一般都有带外抑制或者端口隔离要求，特别是双工器对带外抑制要求很高，为满足这些要求通常都需要加交叉耦合来实现。交叉耦合可分为容性交叉耦合和感性交叉耦合两种。容性交叉耦合用来抑制左边的通带，感性的用来抑制右边通带。

传统滤波器中的交叉电容耦合方案是在两个谐振器之间设计哑铃结构飞杆固定在聚四氟卡座里面，飞杆两端与谐振杆间隔布置，实现容性耦合。传统交叉电容耦合方案具有如下缺点：

1.常规飞杆带聚四氟卡座，空间占用大，且聚四氟易受高低温影响，形变导致飞杆强弱变化，出现指标变化。

2.常规哑铃结构飞杆在低频宽带设计中耦合量少，往往飞杆无法达到预期强度。

3.在低频设计中，谐振杆盘面大，翻边深，常规设计飞杆座无法放置。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种容性交叉耦合结构，此种容性交叉耦合结构空间占用少，无需飞杆卡座，耦合强，在低频设计中非常实用，有效解决常规飞杆因为空间不足无法放置及飞杆无法加强的问题，且加工成本低。

本实用新型的技术方案是这样实现的：本实用新型公开了一种容性交叉耦合结构，包括壳体，壳体内设有至少一个第一谐振腔以及至少一个第二谐振腔，第一谐振腔、第二谐振腔内均设有谐振杆，第一谐振腔与相邻的一个第二谐振腔之间设有飞杆，所述飞杆为U型状金属结构，飞杆的U型开口朝下，所述谐振杆的上端设有外翻边，所述飞杆的一侧位于第一谐振腔内，并与第一谐振腔内的谐振杆的外翻边固定连接，所述飞杆的另一侧位于对应的第二谐振腔内，并与对应的第二谐振腔内的谐振杆的外翻边对应，形成耦合。

进一步地，所述飞杆的另一侧位于第二谐振腔内悬空设置，且与第二谐振腔内的谐振杆的外翻边之间设有间距。

进一步地，壳体上位于第一谐振腔与第二谐振腔之间的隔离壁上端设有第一耦合窗口；所述飞杆穿过第一耦合窗口。

进一步地，壳体内还设有至少一个第三谐振腔，第三谐振腔内也设有谐振杆，相邻的第一谐振腔、第三谐振腔、第二谐振腔内的谐振杆的中心平面布置在一个三角形的顶点处，使相邻的第一谐振腔、第三谐振腔、第二谐振腔实现一个容性零点。

进一步地，壳体上位于第一谐振腔与对应的第三谐振腔之间的隔离壁上端设有第二耦合窗口；壳体上位于第二谐振腔与对应的第三谐振腔之间的隔离壁上端设有第三耦合窗口。

进一步地，所述第一谐振腔内的谐振杆与第二谐振腔内的谐振杆的中心位于同一直线上。

进一步地，所述飞杆呈U型状，U型状飞杆的U型开口朝下。

进一步地，所述谐振杆的外翻边设有向外折转的水平翻边和向下折转的竖直翻边，所述U型状飞杆的一侧与第一谐振腔内谐振杆的竖直翻边固定连接，所述U型状飞杆的另一侧与第二谐振腔内的谐振杆的竖直翻边间隔相对。

进一步地，所述谐振杆的外翻边的水平翻边为圆环形，所述竖直翻边为圆筒形。