[实用新型]一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚

权利要求书

1.一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚，其特征在于，包括大坩埚和布置在大坩埚内的多个小坩埚，大坩埚的坩埚盖设置有多个第一贯穿孔道，所述大坩埚的坩埚壁上设置有多个第二贯穿孔道，多个小坩埚彼此相间隔，小坩埚的外周设有透气空间，所述碳化硅粉料设置在小坩埚内。

2.根据权利要求1所述的一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚，其特征在于，所述小坩埚的侧壁与大坩埚的内壁间隔设置，小坩埚的底部与大坩埚底部间隔设置。

3.根据权利要求1所述的一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚，其特征在于，所述坩埚盖和小坩埚之间设置有多孔石墨片。

4.根据权利要求1所述的一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚，其特征在于，所述大坩埚和小坩埚均为等静压石墨坩埚。

5.根据权利要求1所述的一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚，其特征在于，所述小坩埚为敞口设置。

6.根据权利要求5所述的一种用于低氮高纯碳化硅粉料合成的坩埚，其特征在于，所述小坩埚一侧的埚壁高出另一侧埚壁，多个小坩埚通过高出的一侧埚壁上下堆叠后放入大坩埚。