[实用新型]一种超宽带功分器

说明书

本实用新型涉及一种超宽带功分器，属于微波传输器件技术领域，解决了现有技术中传统功分器带宽有限的问题。该超宽带功分器包括薄膜基片、位于薄膜基片上的输入端口、第一输出端口、第二输出端口以及串联的第一阶功分器至第五阶功分器，第一阶功分器与输入端口耦合连接，第五阶功分器与第一输出端口、第二输出端口耦合连接；第一阶功分器至第五阶功分器分别包括关于输入端口的中轴线对称的两条微带线以及隔离电阻；第一阶功分器至第四阶功分器的隔离电阻分别位于相邻阶功分器的微带线的连接处，第五阶功分器的隔离电阻位于第五阶功分器的微带线与第一输出端口、第二输出端口之间。本申请的功分器的工作频带为2GHz‑18GHz，有效提升了功分器的带宽。

技术领域

本实用新型涉及微波传输器件技术领域，尤其涉及一种超宽带功分器。

背景技术

功率分配器，又称为功率合成器，简称功分器，被广泛应用于混频器、功率放大器等微波射频系统中。功分器是一种可以将一路输入信号功率等分或者不等分分配给多路输出的器件，同时该器件又可以反转作为功率合成器使用，应用于基站、直放站、室内分布系统等移动通信工程领域。

目前，常见的功分器主要有：T型功分器、威尔金森功分器、Bagley多边形功分器等。由于传统的功分器带宽有限，但是随着高频段的划分越来越密集，使用越来越拥挤，仅能工作于窄带的传统功分器已经不能满足行业要求。

实用新型内容

鉴于上述的分析，本实用新型旨在提供一种超宽带功分器，用以解决传统功分器带宽有限的问题。

本实用新型的目的主要是通过以下技术方案实现的：

本申请的一个实施例提供一种超宽带功分器，包括薄膜基片、位于薄膜基片上的输入端口、第一输出端口、第二输出端口以及串联的第一阶功分器至第五阶功分器，所述第一阶功分器与输入端口耦合连接，所述第五阶功分器与第一输出端口、第二输出端口耦合连接；

所述第一阶功分器至第五阶功分器分别包括关于所述输入端口的中轴线对称的两条微带线以及隔离电阻；第一阶功分器至第四阶功分器的隔离电阻分别位于相邻阶功分器的微带线的连接处，第五阶功分器的隔离电阻位于第五阶功分器的微带线与第一输出端口、第二输出端口之间。

进一步，所述第一阶功分器至所述第五阶功分器中的微带线均呈半圆环形结构。

进一步，所述第一阶功分器至第五阶功分器中的微带线的圆环宽度逐渐增加，各阶功分器中的两条微带线的圆环宽度相同。

进一步，所述第一阶功分器的微带线的内半径均为2246μm，外半径均为2311μm；

所述第二阶功分器的微带线的内半径均为1645μm，外半径均为1745μm；

所述第三阶功分器的微带线的内半径均为3978μm，外半径均为4123μm；

所述第四阶功分器的微带线的内半径均为1560μm，外半径均为1814μm；

所述第五阶功分器的微带线的内半径均为1805μm，外半径均为2126μm。

进一步，所述第一阶功分器的隔离电阻的阻值为5.7Ohm，所述第二阶功分器的隔离电阻的阻值为6.4Ohm，所述第三阶功分器的隔离电阻的阻值为113Ohm，所述第四阶功分器的隔离电阻的阻值为128Ohm，所述第五阶功分器的隔离电阻的阻值为144Ohm。

进一步，所述第一阶功分器至第五阶功分器的隔离电阻均为金属化薄膜方阻。

进一步，所述薄膜基片的长选自20mm至30mm，宽选自10mm至14mm，厚度选自0.254mm至0.508mm。

进一步，所述薄膜基片为氮化铝陶瓷材料。

进一步，所述输入端口、第一输出端口以及第二输出端口的微带线的宽度为360μm。