[实用新型]一种背结晶硅电池

说明书

本实用新型提供了一种背结晶硅电池，其包括：P型硅片、正面钝化减反层、正面电极以及空穴选择性接触层；其中，所述空穴选择性接触层层叠并覆盖于所述P型硅片的正面上，所述正面钝化减反层层叠于所述空穴选择性接触层上，所述正面电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述空穴选择性接触层接触。本实用新型中的空穴选择性接触材料为整面覆盖，非局部结构，正面电极也无需精准对位，整个正面接触结构制备简便。此外，无高温的硼扩，不影响P型硅片的体少子寿命。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种背结晶硅电池。

背景技术

基于P型硅片的背结晶硅电池正面电极一般采用银铝浆，但是银铝浆要与硅形成良好的欧姆接触，需要对银铝浆接触区域的硅做局部重掺，掺杂元素为硼。这就存在两个问题，一是实现局部重掺的步骤繁杂，二是硼扩的高温会导致P型硅片体少子寿命降低。

因此，如何解决基于P型硅片背结晶硅电池的正面金属化难题显得尤为重要。

实用新型内容

本实用新型旨在简化正面接触结构的制备，且不影响P型硅片的体少子寿命，为了解决上述技术问题，本实用新型公开了一种背结晶硅电池，其在硅片正表面添加一层空穴选择性接触材料，负责从硅片中分离和提取空穴，由于空穴选择性接触材料为整面覆盖，非局部结构，正面电极也无需精准对位，整个正面接触结构制备简便，此外，由于无高温的硼扩，从而不会影响P型硅片的体少子寿命。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案提供了一种背结晶硅电池，其包括：P型硅片、正面钝化减反层、正面电极以及空穴选择性接触层；其中，所述空穴选择性接触层层叠并覆盖于所述P型硅片的正面上，所述正面钝化减反层层叠于所述空穴选择性接触层上，所述正面电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述空穴选择性接触层接触。

进一步地，为了进一步增强硅表面钝化效果，所述背结晶硅电池还包括正面隧穿钝化层，所述正面隧穿钝化层层叠在所述P型硅片的正面与所述空穴选择性接触层之间。

进一步地，所述正面隧穿钝化层为氧化硅层或本征非晶硅层。

进一步地，所述正面隧穿钝化层的厚度为0.5纳米～2.5纳米。

进一步地，所述空穴选择性接触层的材料为氧化钼、氧化钨和氧化钒中的一种或多种。

进一步地，所述正面钝化减反层包括氮化硅减反层和氧化铝钝化层。

进一步地，所述背结晶硅电池还包括形成在所述P型硅片的背面的背面钝化接触层、背面电极和背面保护介质层，其中，所述背面钝化接触层层叠在所述P型硅片的背面上，所述背面介质保护层层叠在所述背面钝化接触层上，所述背面电极形成于所述背面介质保护层上并穿透所述背面介质保护层与所述背面钝化接触层接触。

进一步地，所述背面钝化接触层包括隧穿氧化硅层和N型多晶硅层，其中，所述隧穿氧化硅层层叠在所述P型硅片的背面上，所述N型多晶硅层层叠在所述隧穿氧化硅层上并与所述背面电极接触。

进一步地，所述背面介质保护层为氮化硅层。

进一步地，所述正面电极和所述背面电极为银电极。

附图说明

图1是本实用新型的背结晶硅电池的结构示意图；

图2是本实用新型的进一步实施方式的背结晶硅电池的结构示意图。

图中标记：1-正面电极，2-氮化硅减反层，3-氧化铝钝化层，4-空穴选择性接触层，5-P型硅片，6-隧穿氧化硅层，7-N型多晶硅层，8-背面介质保护层，9-背面电极。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型的技术方案作进一步的描述，但本实用新型并不限于这些实施例。