[实用新型]一种基于钝化接触结构的MWT电池有效
| 申请号： | 202120852300.8 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN215183998U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张树德;刘玉申;倪志春;况亚伟;赵保星;符欣;连维飞 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 翟超 |
| 地址： | 215542 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 钝化 接触 结构 mwt 电池 | ||
1.一种基于钝化接触结构的MWT电池，其特征在于，包括：
P型硅基底，形成有贯穿式开孔；
正面钝化减反层，形成于所述P型硅基底正面；
背面钝化接触层，形成于所述P型硅基底背面；
背面介质保护层，层叠并覆盖在所述背面钝化接触层上；
电池正极，填充在所述开孔中并穿透所述背面钝化接触层和所述背面介质保护层；以及
电池负极，形成于所述背面介质保护层上并穿透所述背面介质保护层与所述背面钝化接触层接触；其中，
所述电池正极为铝电极，并且所述P型硅基底与所述铝电极接触的位置处形成有铝掺杂的P+表面场。
2.根据权利要求1所述的基于钝化接触结构的MWT电池，其特征在于，所述正面钝化减反层为氮化硅层、氮氧化硅层或者氧化铝层中的一种或者几种的叠层。
3.根据权利要求2所述的基于钝化接触结构的MWT电池，其特征在于，所述正面钝化减反层包括氮化硅减反层和氧化铝钝化层，其中，所述氧化铝钝化层层叠在所述P型硅基底的正面，所述氮化硅减反层层叠在所述氧化铝钝化层上。
4.根据权利要求1所述的基于钝化接触结构的MWT电池，其特征在于，所述背面钝化接触层包括隧穿氧化层和N型多晶硅层，其中，所述隧穿氧化层层叠在所述P型硅基底的背面，所述N型多晶硅层层叠在所述隧穿氧化层上。
5.根据权利要求4所述的基于钝化接触结构的MWT电池，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1nm～2nm，所述N型多晶硅层的厚度为50nm～200nm。
6.根据权利要求5所述的基于钝化接触结构的MWT电池，其特征在于，所述隧穿氧化层为隧穿氧化硅层。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的基于钝化接触结构的MWT电池，其特征在于，所述背面介质保护层为氮化硅层。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的基于钝化接触结构的MWT电池，其特征在于，所述电池负极的材料为银、铜、镍、钴中的一种或者多种。
9.根据权利要求8所述的基于钝化接触结构的MWT电池，其特征在于，所述电池负极为银电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
