[实用新型]深竖井有效

专利信息
申请号: 202120876701.7 申请日: 2021-04-26
公开(公告)号: CN215256185U 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 孙扬;安建英;陈小伟;刘育明;朱瑞军;王建中 申请(专利权)人: 中国恩菲工程技术有限公司
主分类号: E21D8/00 分类号: E21D8/00;E21D5/00;E21D5/04;E21D7/00;E21F17/18
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 廉世坤
地址: 100038*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 竖井
【权利要求书】:

1.一种深竖井,其特征在于,包括:

井筒,所述井筒包括位于表土层内的表土层段、位于浅部基岩层内的浅部基岩层段、位于深部基岩层内的深部基岩层段和位于高应力倾向性地层内的高应力倾向性地层段,所述浅部基岩层段位于所述表土层段的下方,所述深部基岩层段位于所述浅部基岩层段的下方,所述高应力倾向性地层段位于所述深部基岩层段的下方;

表土层支护,所述表土层支护构造在所述表土层段内;

浅部基岩层支护,所述浅部基岩层支护构造在所述浅部基岩层段内,所述浅部基岩层支护位于所述表土层支护的下方;

深部基岩层支护,所述深部基岩层支护构造在所述深部基岩层段内,所述深部基岩层支护位于所述浅部基岩层支护的下方;

高应力倾向性地层支护,所述高应力倾向性地层支护构造在所述高应力倾向性地层段内,所述高应力倾向性地层支护位于所述深部基岩层支护的下方;和

应力传感器,所述应力传感器设在所述表土层支护、所述浅部基岩层支护、所述深部基岩层支护和所述高应力倾向性地层支护上。

2.根据权利要求1所述的深竖井,其特征在于,

所述表土层段包括表土层稳定地层区段和表土层不良地层区段,所述表土层不良地层区段包括废石层区段、废渣层区段、沉砂层区段和淤泥层区段中的至少一者,所述表土层不良地层区段位于所述表土层稳定地层区段的上方或者所述表土层不良地层区段位于两个所述表土层稳定地层区段的中间;

所述表土层支护包括表土层稳定地层子支护和表土层不良地层子支护,所述表土层不良地层包括废石层子支护、废渣层子支护、沉砂层子支护和淤泥层子支护中相应的至少一者。

3.根据权利要求2所述的深竖井,其特征在于,

所述表土层稳定地层子支护构造在所述表土层稳定地层区段内;

所述废石层子支护构造在所述废石层区段内;

或者,所述废渣层子支护构造在所述废渣层区段内;

或者,所述沉砂层子支护构造在所述沉砂层区段内;

或者,所述淤泥层子支护构造在所述淤泥层区段内。

4.根据权利要求1所述的深竖井,其特征在于,

所述浅部基岩层段包括浅部基岩层稳定地层区段和浅部强风化岩层区段;

所述浅部基岩层支护包括浅部基岩层稳定地层子支护和浅部强风化岩层子支护,所述浅部基岩层稳定地层子支护构造在所述浅部基岩层稳定地层区段内,所述浅部强风化岩层子支护构造在所述浅部强风化岩层区段内。

5.根据权利要求1所述的深竖井,其特征在于,

所述深部基岩层段包括深部基岩层稳定地层区段和深部基岩层不良地层区段,所述高应力倾向性地层段包括高应力倾向性地层稳定地层区段和高应力倾向性地层不良地层区段,所述深部基岩层不良地层区段和所述高应力倾向性地层不良地层区段包括破碎型地层区段、易软化地层区段和低强度地层区段中的至少一者;

所述深部基岩层支护包括深部基岩层稳定地层子支护和深部基岩层不良地层子支护,所述高应力倾向性地层支护包括高应力倾向性地层稳定地层子支护和高应力倾向性地层不良地层子支护,所述深部基岩层不良地层子支护和所述高应力倾向性地层不良地层子支护包括破碎型地层子支护、易软化地层子支护和低强度地层子支护中相应的至少一者。

6.根据权利要求5所述的深竖井,其特征在于,所述深部基岩层稳定地层子支护构造在所述深部基岩层稳定地层区段内,所述高应力倾向性地层稳定地层子支护构造在所述高应力倾向性地层稳定地层区段上;

所述破碎型地层子支护构造在所述破碎型地层区段内;

或者,所述易软化地层子支护构造在所述易软化地层区段内;

或者,所述低强度地层子支护构造在所述低强度地层区段内。

7.根据权利要求1所述的深竖井,其特征在于,

所述深部基岩层支护至少包括二次支护;和

所述高应力倾向性地层支护至少包括二次支护。

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