[实用新型]一种声表面波射频芯片的电路结构

权利要求书

1.一种声表面波射频芯片的电路结构，其特征在于，包括：芯片基体、螺旋形多旋臂耦合电路和电极；

所述电极包括一对输入电极和接地电极；所述输入电极用于输入微波信号；

所述芯片基体用于将所述微波信号转换为声波信号；

所述螺旋形多旋臂耦合电路设置于所述芯片基体上，所述螺旋形多旋臂耦合电路包括依次耦合的多个旋臂，多个所述旋臂均为由同一个固定轴为旋转轴，以所述旋转轴为中心绕制排列而成的二维螺旋形导体；所述旋臂与所述电极相连，相邻的所述旋臂的极性相反；所述螺旋形多旋臂耦合电路用于将所述声波信号进行二维多方向的耦合。

2.根据权利要求1所述的声表面波射频芯片的电路结构，其特征在于，多个所述旋臂等间距耦合，多个所述旋臂的宽度均相同。

3.根据权利要求2所述的声表面波射频芯片的电路结构，其特征在于，还包括反射栅；所述反射栅包括由内到外依次排布且同心设置的多个栅条；所述螺旋形多旋臂耦合电路设置在所述反射栅的最内侧栅条围成的区域内；所述栅条与所述旋臂的形状相同。

4.根据权利要求1所述的声表面波射频芯片的电路结构，其特征在于，所述芯片基体为单晶压电基体或压电陶瓷；

所述单晶压电基体的材料为石英、铌酸锂或钽酸锂；

所述压电陶瓷的材料为钛酸钡或钛锆酸铅；

所述螺旋形多旋臂耦合电路通过半导体工艺形成在所述压电基体上。

5.根据权利要求1所述的声表面波射频芯片的电路结构，其特征在于，所述芯片基体包括非压电基体和压电薄膜；所述压电薄膜设置在所述非压电基体上；

所述非压电基体的材料为金刚石、氧化铝、硅或碳化硅；

所述压电薄膜的材料为氮化铝或氧化锌；

所述螺旋形多旋臂耦合电路通过半导体工艺形成在所述压电薄膜的上表面或下表面。

6.根据权利要求1所述的声表面波射频芯片的电路结构，其特征在于，还包括传输导线；

所述旋臂通过所述传输导线与所述电极连接。

7.根据权利要求1所述的声表面波射频芯片的电路结构，其特征在于，所述旋臂的数量为2，其中一个所述旋臂接所述输入电极，另一个所述旋臂接所述接地电极。

8.根据权利要求1所述的声表面波射频芯片的电路结构，其特征在于，所述电极还包括一对输出电极和接地电极；所述旋臂的数量为4；其中2个所述旋臂分别与所述输入电极和接地电极连接，另外2个所述旋臂分别与所述输出电极和接地电极连接。

9.根据权利要求1所述的声表面波射频芯片的电路结构，其特征在于，所述旋臂的形状为环状、椭圆状或多边形。