[实用新型]一种改进型还原炉底盘进气结构及还原炉

说明书

本实用新型涉及一种改进型还原炉底盘进气结构及还原炉，进气结构包括进气总管、环管和支管，所述的支管设置多个，所述的支管位于所述的环管上方并连通所述的环管，其特征在于，所述的环管上设有进气管口，所述的进气管口的进气方向垂直或平行于环管所在平面，当所述的进气管口的进气方向垂直于环管所在平面时，所述的进气管口设置单个或多个，当所述的进气管口的进气方向平行于环管所在平面时，所述的进气管口沿环管周侧均匀分布多个，所述的进气管口均连通至所述的进气总管。还原炉包括炉体，所述的炉体底盘上设置所述的改进型还原炉底盘进气结构。与现有技术相比，本实用新型具有气流均匀、还原炉质量提升等优点。

技术领域

本实用新型涉及一种多晶硅生产设备及其零件，尤其是涉及一种改进型还原炉底盘进气结构及还原炉。

背景技术

随着多晶硅生产工艺的不断更新完善，配套技术、设备的不断完善，多晶硅生产装备-还原炉已经从追求量开始向追求质的转变。还原炉质量的提升取决于炉内流场和热场是否均匀，一直以来，对还原炉内均匀性的研究局限于对电极布置，进出气布置的研究，忽略了进气管路的影响。

如图1所示，传统进气管路的设计为：在环管上设置一个进气总管口，进气总进气总管口连通进气总管，进气总管水平方向布置，可如图2中(a)所示，进气总管位于环管的对称中心轴上，也可如图2中(b)所示，进气总管偏离环管的对称中心轴。混合气体沿水平方向进入环管，然后经由环管分配后进入各支管，再由各支管进入还原炉内。然而，上述传统进气管路的设计存在如下弊端：一旦混合气体进入环管由于气流的作用，混合气体会迅速沿环管向进气总管口的对侧流动，进而导致环管中位于进气总管口附近的混合气体少，大部分气体进入进气总管口的对侧，从而还原炉内气体分布不均匀。

实用新型内容

本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种改进型还原炉底盘进气结构及还原炉。

本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现：

一种改进型还原炉底盘进气结构，包括进气总管、环管和支管，所述的支管设置多个，所述的支管位于所述的环管上方并连通所述的环管，所述的环管上设有进气管口，所述的进气管口的进气方向垂直或平行于环管所在平面，当所述的进气管口的进气方向垂直于环管所在平面时，所述的进气管口设置单个或多个，当所述的进气管口的进气方向平行于环管所在平面时，所述的进气管口沿环管周侧均匀分布多个，所述的进气管口均连通至所述的进气总管。

优选地，当所述的进气管口的进气方向垂直于环管所在平面时，所述的进气管口设置在所述的环管底部管壁上。

优选地，当所述的进气管口的进气方向垂直于环管所在平面且进气管口设置单个时，所述的进气总管垂直于环管所在平面设置并位于进气管口正下方，所述的进气总管与所述的进气管口直接连通。

优选地，当所述的进气管口的进气方向垂直于环管所在平面且进气管口设置多个时，所述的进气管口沿所述的环管底部管壁均匀分布。

优选地，当所述的进气管口的进气方向垂直于环管所在平面且进气管口设置多个时，所述的进气总管设置在所述的环管正下方并与所述的环管同轴线设置，所述的进气管口分别通过L型连接管连通至所述的进气总管。

优选地，当所述的进气管口的进气方向垂直于环管所在平面且进气管口设置多个时，所述的进气总管对应设置多个并分别位于各进气管口正下方，所述的进气总管与对应的进气管口一一对应连通。

优选地，当所述的进气管口的进气方向平行于环管所在平面时，所述的进气管口分布在环管内环壁面。

优选地，当所述的进气管口的进气方向平行于环管所在平面时，所述的进气总管设置在所述的环管正下方并与所述的环管同轴线设置，所述的进气管口分别通过水平连接管连通至所述的进气总管。