[实用新型]一种极性相异的钝化接触结构及电池、组件和系统

权利要求书

1.一种极性相异的钝化接触结构，其特征在于，包括硅衬底、设于硅衬底至少一面的电介质层、设于电介质层表面且掺杂极性相异的第一多晶硅掺杂层和第二多晶硅掺杂层，设于第一多晶硅掺杂层与第二多晶硅掺杂层之间的多晶硅层，设于第一多晶硅掺杂层表面、掺杂极性相同且掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层的第三多晶硅掺杂层，设于第二多晶硅掺杂层表面、掺杂极性相同且掺杂浓度大于第二多晶硅掺杂层的第四多晶硅掺杂层；所述第一多晶硅掺杂层和第三多晶硅掺杂层的厚度之和大于多晶硅层的厚度，且第二多晶硅掺杂层和第四多晶硅掺杂层的厚度之和大于多晶硅层的厚度；所述电介质层的厚度为0.9～2.9nm。

2.根据权利要求1所述的一种极性相异的钝化接触结构，其特征在于，所述多晶硅层为本征多晶硅结构。

3.根据权利要求1所述的一种极性相异的钝化接触结构，其特征在于，所述多晶硅层的晶化率大于第三多晶硅掺杂层的晶化率，且第一多晶硅掺杂层的晶化率大于第三多晶硅掺杂层的晶化率；所述多晶硅层的晶化率大于第四多晶硅掺杂层的晶化率，且第二多晶硅掺杂层的晶化率大于第四多晶硅掺杂层的晶化率。

4.根据权利要求1所述的一种极性相异的钝化接触结构，其特征在于，所述硅衬底为N型晶体硅衬底。

5.根据权利要求1所述的一种极性相异的钝化接触结构，其特征在于，所述电介质层的材质为氧化硅、氧化铝和氧化铬中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种极性相异的钝化接触结构，其特征在于，所述电介质层的厚度为1～1.4nm。

7.一种电池，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的一种极性相异的钝化接触结构，设于所述钝化接触结构表面背面的背面钝化膜，设于第三多晶硅掺杂层表面并延伸至背面钝化膜外的第一金属电极，设于第四多晶硅掺杂层表面并延伸至背面钝化膜外的第二金属电极，以及设于硅衬底正面的n+前场和设于n+前场表面的正面钝化膜。

8.根据权利要求7所述的一种电池，其特征在于，所述硅衬底的正面为呈金字塔状的陷光结构，所述n+前场设于所述陷光结构的表面；所述硅衬底的背面为平面结构。

9.一种太阳能电池组件，包括由上至下依次设置的正面材料层、正面封装层、电池、背面封装层和背面材料层，其特征在于：所述电池是权利要求7-8任一所述的一种电池。

10.一种太阳能电池系统，包括一个或一个以上的太阳能电池组件，其特征在于：所述太阳能电池组件是权利要求9所述的一种太阳能电池组件。