[实用新型]用于导模法生长氧化物晶体的钨钼坩埚

说明书

本实用新型涉及一种用于导模法生长氧化物晶体的钨钼坩埚，钨钼坩埚为发热容器,在钨钼坩埚的外表面喷涂保护涂层,在钨钼坩埚内底中心处设置固定模具组件，在模具组件中的顶端设置凹槽，凹槽用于放置氧化物籽晶,在模具组件底部贯穿设置横向通道，在晶体生长用原料熔融之后，利用导模法中模具组件之间的狭缝所形成的毛细现象，熔体通过模具组件底部贯穿的横向通道上升到模具组件顶端的凹槽处，可得到性能均一的氧化物晶体，采用钨钼坩埚替代铱金坩埚，可降低投资成本和生产成本，解决了氧化物晶体生长时性能不均一以及氧化物晶体生产成本过高的问题。

技术领域

本实用新型的实施例涉及一种钨钼坩埚，特别涉及一种用于导模法生长氧化物晶体的钨钼坩埚。

背景技术

根据专利号201921938675.5—“一种导模法晶体生长装置”，目前在导模法晶体生长装置现有技术中存在一些技术问题，本实用新型针对此种问题在现有技术上的技术问题进行了改进。

目前传统上生长高温氧化物晶体，一般都是采用提拉法生长，铱金坩埚作为发热容器，但由于发光中心离子分凝系数较小(1)，由于排杂作用，晶体生长时固液界面处不断的将发光中心离子排杂到熔体中，随着晶体的持续生长，熔体中发光中心离子的浓度越来越高，晶体中的浓度也越来越高，从而导致在一个晶体中，从晶体的肩部到晶体的尾部，发光中心离子的浓度越来越高，出现发光中心离子分布不一致的现象，从而导致晶体不同部位的发光强度不均一，能量分辨率也就不均一，从而影响设备的整机性能。

同时由于近几年铱金价格持续上涨，由原来的200-300元一克，上涨到目前1000多元一克，而一般用于氧化物晶体生长的铱金坩埚单个坩埚的重量在5-10kg，铱金价格的上涨直接导致晶体生产成本增加，不利于氧化物晶体的产业化生产。

因此，为提高氧化物晶体的整体性能，降低晶体生产成本，需要对现有的氧化物晶体的生长方式进行优化处理。

实用新型内容

本实用新型的实施方式的目的在于提供一种用于导模法生长氧化物晶体的钨钼坩埚，能够有效解决生长氧化物晶体生长时性能不均一的问题，以及降低氧化物晶体生长及产业化成本，提高氧化物晶体的整体性能。

为了实现上述目的，本实用新型的实施方式设计了一种用于导模法生长氧化物晶体的钨钼坩埚，其特征在于，包括：

钨钼坩埚，所述钨钼坩埚为钨坩埚或钼坩埚，用于导模法生长氧化物晶体感应加热器和盛料容器；

保护涂层，在所述钨钼坩埚的外表面喷涂所述保护涂层；

模具组件，在所述钨钼坩埚内底中心处设置固定所述模具组件，在所述模具组件中的顶端设置V型或U型凹槽结构，所述凹槽用于放置氧化物晶体籽晶；

横向通道，在所述模具组件底部贯穿设置所述横向通道。

进一步的，所述模具组件，其特征在于，包括：

中心模具片，设置若干块在所述模具组件的中心处；

第一模具片，在所述中心模具片的左右两侧中的一侧设置焊接所述第一模具片的一侧，所述第一模具片与中心模具片之间设置狭缝；

第二模具片，在所述中心模具片的另一侧设置焊接所述第二模具片的一侧，所述第二模具片与所述中心模具片之间设置狭缝，所述第二模具片的另一侧设置焊接所述第一模具片，所述第二模具片与所述第一模具片之间设置狭缝。

进一步的，在所述中心模具片、所述第一模具片和所述第二模具片的底部相同位置贯穿设置2-10个所述横向通道。

进一步的，所述的中心模具片的数量为1-15块。

进一步的，所述狭缝的宽度为0.2mm-1mm,所述的钨钼坩埚直径为40mm-300mm,所述保护涂层的厚度为0.1mm-3mm,所述的横向通道单个尺寸同一长为5mm-50mm,高为5mm-50mm。