[实用新型]一种基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构有效

专利信息
申请号: 202120965780.9 申请日: 2021-05-08
公开(公告)号: CN215183931U 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 黎荣林;王静辉;崔健;段磊;郭跃伟 申请(专利权)人: 河北博威集成电路有限公司
主分类号: H01L23/40 分类号: H01L23/40;H01L23/367
代理公司: 河北智酷知创知识产权代理事务所(普通合伙) 13157 代理人: 武哲
地址: 050000 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 lcp gan 微波 功率 器件 结构
【说明书】:

实用新型公开了一种基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构,涉及微波功率器件技术领域。一种基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构,包括基板,所述基板顶部固定连接有固定机构,所述固定机构包括固定框,所述固定框内部固定连接有盖板,所述盖板顶部固定连接有固定块,所述盖板外侧均固定连接有第二斜块,所述固定框内部均固定连接有第一斜块,且第二斜块和第一斜块相适配,所述固定框内部开设有凹槽,所述凹槽内部均固定连接有限位块。本实用新型通过固定框、盖板和橡胶垫的设置,实现了能够通过固定框、盖板和橡胶垫的配合,进而使得不需要利用冲压设备便可将管帽固定密封,进而避免了在冲压设备下工作的安全隐患。

技术领域

本实用新型涉及微波功率器件技术领域,具体为一种基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构。

背景技术

氮化镓属第三代半导体材料,六角纤锌矿结构,是现在世界上人们最感兴趣的半导体材料之一,器件1990年开始用于发光二极管中,开启了其商业化大门,氮化镓具有作为一种宽禁带半导体,其具有禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子迁移速率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等特性,适合制作高频、大功率、高密度集成和抗辐射的电子器件,广泛应用智能电网、高速轨道交通等电力电子领域及5G基站、雷达等微波射频,在电子器件领域,氮化镓更适合高频、高功率、低压应用领域,在射频应用方面,氮化镓具有更高的电子饱和漂移速度和更大的禁带宽度,导通损耗较低,适用于大功率、高频的射频应用。

在利用氮化镓制作微波功率器件时,往往采用陶瓷材料做管帽结构,陶瓷材料特别昂贵,为此提出一种成本低廉的LCP材料作为GaN微波功率器件的管帽结构。而LCP材料的管帽结构如何设计,散热结构如何处理,则成为本行业技术人员的难题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种基于LCP的GaN 微波功率器件的管帽结构,包括基板,所述基板顶部固定连接有固定机构,所述固定机构包括固定框,所述固定框内部固定连接有盖板,所述盖板顶部固定连接有固定块,所述盖板外侧均固定连接有第二斜块,所述固定框内部均固定连接有第一斜块,且第二斜块和第一斜块相适配。

优选的,所述固定框内部开设有凹槽,所述凹槽内部均固定连接有限位块,所述限位块内部开设有滑动槽,所述滑动槽内部滑动连接有滑动条,且滑动条一侧和盖板固定连接,所述凹槽底部固定连接有橡胶垫,且橡胶垫和盖板相适配。

优选的,所述固定块顶部均固定连接有散热片,所述固定块和固定框外侧均固定连接有支撑板。

优选的,所述支撑板顶部均固定连接有螺栓,所述螺栓外侧螺接有螺母,所述螺栓外侧均固定连接有外螺纹,所述螺母内部均开设有内螺纹,且外螺纹和内螺纹相适配。

优选的,所述固定框外侧均固定连接有针脚,且针脚和基板固定连接。

优选的,所述散热片的材质为铝。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

(1)、该基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构,通过固定框、盖板和橡胶垫的设置,实现了能够通过固定框、盖板和橡胶垫的配合,装配操作过程简单,而且相对于陶瓷材料,LCP材质的成本更加低廉经济。

(2)、该基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构,通过固定块和散热片的设置,实现了能够通过固定块和散热片配合,控制GaN微波功率器件在工作时的温度,进而提高了微波功率器件的稳定性。

附图说明

图1为本实用新型的正轴测图结构示意图;

图2为本实用新型的固定框局部剖视图结构示意图;

图3为本实用新型的主剖视图结构示意图;

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